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格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國際出貨達(dá)10萬片
- 作為中國大陸第一大CMOS圖像傳感器設(shè)計公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達(dá)到10萬片的新里程碑。 牋牋作為大陸地區(qū)首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專業(yè)CMOS圖像傳感器設(shè)計公司，格科微擁有創(chuàng)新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小，功耗低，成本低，產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調(diào)整等功能。其晶圓伙伴中芯國際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
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再度出手 三星擬再新增CMOS 8寸廠
- 三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制，預(yù)計將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。 據(jù)了解，三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬~4.5萬片，12寸廠月產(chǎn)能2萬~2.5 萬片，2009年下半為滿足客戶龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬~2萬片產(chǎn)能，不過即便如此，似乎仍無法滿足客戶需求。 據(jù)了解，新的8寸晶
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巧焊場效應(yīng)管和CMOS集成電路
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 焊 場效應(yīng)管 集成電路
威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實現(xiàn)在一個USB接口上連接多個設(shè)備從而擴展了計算機的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
- 關(guān)鍵字： 威盛 USB3.0 CMOS
IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點。 在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS 22nm SOC
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