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            基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

            • D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而,只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進,根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路,對脈沖信號的寬度進行識別
            • 關(guān)鍵字: 寬度  檢測  電路設計  脈沖  CD4013  CMOS  觸發(fā)器  基于  

            采用協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機方案

            • 什么是CMOS數(shù)碼相機?對于最終用戶而言,采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機與傳統(tǒng)相機沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機需要使用一個35毫
            • 關(guān)鍵字: 數(shù)碼相機  方案  傳感器  CMOS  處理器  采用  

            索尼向東芝買回工廠 CMOS傳感器產(chǎn)量擬倍增

            •   索尼 (Sony)計劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價格,向東芝 (Toshiba)買回一座半導體工廠,好讓用于智能型手機及其他設備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。   報導指出,索尼于 2008 年,將該座位于日本長崎的工廠賣給東芝。如今買回,將用以加強其 CMOS 傳感器業(yè)務,使其影像傳感器產(chǎn)量,倍增至相當于每月 4 萬顆晶圓。   報導補充,索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本,好在 CMOS 影像傳感器的市場,追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
            • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

            一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設計

            • 隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展與成熟,CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點使得采用CMOS工藝實現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
            • 關(guān)鍵字: 芯片  設計  相環(huán)  電荷  CMOS  工藝  基于  

            硅CMOS技術(shù)可擴展到10nm以下

            •   “硅CMOS技術(shù)完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝,硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導地位”。   
            • 關(guān)鍵字: CMOS  10nm  

            LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用

            • LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
            • 關(guān)鍵字: 嵌入式  存儲器  應用  StrataFlash  電路  線性  調(diào)節(jié)器  LDO  

            基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動電路設計

            • Verilog HDL語言是IEEE標準的用于邏輯設計的硬件描述語言,具有廣泛的邏輯綜合工具支持,簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器,給出使用Verilog HDL語言設計的邏輯驅(qū)動電路和仿真結(jié)果。
            • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  電路設計  敏感  圖像  VerilogHDL  CMOS  基于  

            江陰全力打造新傳感器產(chǎn)業(yè)園區(qū)

            •   新傳感器產(chǎn)業(yè)作為近兩年來逐漸升溫的新興產(chǎn)業(yè)之一,不斷吸引著各方的眼球。作為信息通信產(chǎn)業(yè)的前沿領(lǐng)域和最新方向,新傳感器產(chǎn)業(yè)是“感知中國”、“智慧地球”的基石,在當前更被賦予了全新內(nèi)涵,蘊藏著巨大機遇。在搶抓發(fā)展的大潮中,敢為人先的江陰人當然不會放過這一極好的發(fā)展良機。   
            • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  

            基于Zigbee的CMOS無線射頻芯片的設計考慮

            • 本文將以笙科電子的2.4GHz IEEE 802.15.4射頻收發(fā)器(適用于Zigbee標準,RF4CE則是基于Zigbee的遙控器應用規(guī)范)為例,介紹超低功率CMOS無線射頻芯片的設計概要,從電路設計到系統(tǒng)觀點,說明芯片設計和應用過程中需要考
            • 關(guān)鍵字: 芯片  設計  考慮  射頻  無線  Zigbee  CMOS  基于  

            LDO線性穩(wěn)壓器高精度電壓基準源分析

            • 隨著集成電路規(guī)模的發(fā)展,電子設備的體積、重量和功耗越來越小,這對電源電路的集成化、小型化及電源管理性能提出了越來越高的要求。電源IC產(chǎn)品主要包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)式穩(wěn)壓器(DC/DC)、電池充電/管理IC、PWM/PFM控
            • 關(guān)鍵字: 基準  分析  電壓  高精度  線性  穩(wěn)壓器  LDO  

            如何在RF電路中選擇LDO穩(wěn)壓器的PSRR和輸出噪聲

            • LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線性穩(wěn)壓器在10Hz至100kHz頻率范圍內(nèi)的輸出噪聲為30 mu;V(RMS),在 1 kHz 的頻率下電源抑制比(PSRR)高達73
            • 關(guān)鍵字: RF  電路  LDO  穩(wěn)壓器  射頻  音頻  

            分析如何提高低靜態(tài)電流LDO的負載瞬變響應性能

            • 低壓差穩(wěn)壓器在便攜電子系統(tǒng)中應用十分廣泛,比如手機、筆記本電腦和PDA等。而移動設備的低功耗和高可靠性要求使得LDO設計任務十分艱巨?! ‘擫DO輸出供電的數(shù)字電路從一種運行模式切換到另一種運行模式時, LDO的負
            • 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器  LDO  放大器  

            ,淺談低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的壓差和功耗

            • 便攜產(chǎn)品電源設計需要系統(tǒng)級思維,在開發(fā)由電池供電的設備時,諸如手機、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品,如果電源系統(tǒng)設計不合理,則會影響到整個系統(tǒng)的架構(gòu)、產(chǎn)品的特性組合、元件的選擇、軟件的設計和功率分配架
            • 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器  LDO  電池  放大器  

            高性能LDO線性穩(wěn)壓器的設計

            • 摘要:為了解決電力載波通信系統(tǒng)中LDO供電模塊常用單芯片而導致板上成本及面積增加的問題。文中將LDO集成進系統(tǒng)芯片來為數(shù)字及模擬模塊分別供電,同時采用平滑極點跟隨技術(shù)來解決負載電流變化時芯片穩(wěn)定問題,該方
            • 關(guān)鍵字: LDO  穩(wěn)壓器  電源  放大器  
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