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CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)
- 摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)觀察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 測(cè)試 IDDQ 電路 CMOS
IDT推出全球首款超低功耗CrystalFree CMOS振蕩器
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時(shí)間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá) 75%，包括計(jì)算、通信和消費(fèi)市場(chǎng)。 IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
- 關(guān)鍵字： IDT CMOS
基于LDO的開關(guān)電源設(shè)計(jì)
- 電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類，由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài)，本
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 開關(guān)電源 LDO 基于
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