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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

            羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會”

            •   全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會”,屆時將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市,面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)和應(yīng)用技術(shù)。日前,首站——蘇州站(9月6日)的免費(fèi)報名通道已開啟!  一年一度的“ROHM技術(shù)研討會”由羅姆主辦,自2014年起至今已成功舉辦了四屆,活動足跡遍及全國各地,是羅姆與業(yè)界友人交流互動、分享經(jīng)驗(yàn)的良好平臺。今年,根據(jù)各個城市不同的行業(yè)發(fā)展情況,羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
            • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

            開關(guān)電源設(shè)計(jì):何時使用BJT而非MOSFET?

            • MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中,與MOSFET相比,雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
            • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  BJT  MOSFET  

            教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

            • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  數(shù)據(jù)  電感器  連續(xù)電流  

            大功率電源MOSMOSFET問題的分析

            • 本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解,希望對您的學(xué)習(xí)有所幫助。對三極管放大作用的理解,切記一點(diǎn):能量不會無緣無故的產(chǎn)生,所以,三極管一定不
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  電源  

            大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

            • 在電子電路設(shè)計(jì)中,散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下,空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
            • 關(guān)鍵字: 大功率電  MOSFET  功率耗散  

            功率MOSFET在集成驅(qū)動電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡析

            • 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動電路中得到了廣泛的應(yīng)用,此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動電路中的常見應(yīng)用方式,在今天的文章中
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動電路  電源  

            干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動電路設(shè)計(jì)分享

            • 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升,在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中,利用MOSFET完成驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)不僅省時省力,還具有
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動電路  設(shè)計(jì)  

            同步整流降壓式DC-DC變換器應(yīng)怎樣選擇MOSFET?

            • 功率器件MOSFET在很多電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中都得到了廣泛的應(yīng)用,而對于同步整流降壓式的DC-DC變換器來說,怎樣選擇合適的MOSFET則是非常重要的一環(huán),需要研
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

            6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

            • 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動進(jìn)行輔助
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  隔離驅(qū)動  

            MOSFET開關(guān)損耗分析

            • 摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對MOSFET柵極電荷、極間
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  帶電插拔  緩啟動  開關(guān)損耗  

            基于大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)

            • 1.MOSFET柵極驅(qū)動電平的上升時間和下降時間功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-mode power supplies,S
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  筆記本電源  降壓變換器  

            大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會

            • 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級,優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
            • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  MOSFET  

            SiC元件2023年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)14億美元

            •   市場研究單位Yole Développement(Yole)指出,碳化硅(SiC)電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具高度潛力,包括ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、Infineon Technologies、Littelfuse、Ascatron等廠商都大力投入。Yole預(yù)測到2023年SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元,2016年至2023年間的復(fù)合成長率(CAGR)為28%,2020~2022年CAGR將進(jìn)一步提升至40%。  包括xEV、xEV充電基
            • 關(guān)鍵字: SiC  PFC  

            功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略

            • 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式,供大家參考。
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  關(guān)斷損耗  

            看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第1部分―UIS/雪崩額定值

            • 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時,你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  雪崩  
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            碳化硅(sic)mosfet介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
            歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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