在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

            碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

            SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫

            •    SiC和GaN MOSFET技術的出現(xiàn),正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點,而這在幾年前是不可想象的?! ≡诂F(xiàn)實世界中,沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關損耗,又能處理超高速率dv/dt轉換,并支持超快速開關頻率,使得這些新技術既成就了DC/DC轉換器設計工程師的美夢,但同時也變成了他們的惡夢。  比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉換應用,如逆變器或馬達驅動控制器,或者正在設
            • 關鍵字: SiC  GaN  

            高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

            •   隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加,車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此,新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準,該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì),開關電源充斥著 EMI,并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今,低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起,成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求,同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
            • 關鍵字: MOSFET,LT8650S   

            Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

            •   深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大,適合設計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應用,適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?! ?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
            • 關鍵字: Power Integrations  MOSFET  

            Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

            •   深耕于高壓集成電路高能效電源轉換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大,適合設計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應用,適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計。  900V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率,使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
            • 關鍵字: Power Integrations  MOSFET  

            Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

            •   Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充,也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?! √蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000  碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
            • 關鍵字: Littelfuse  MOSFET  

            CISSOID和泰科天潤(GPT)達成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用

            •   高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系,將共同開展研發(fā)項目,推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用?! ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議  泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時,是高溫半導體解決方案的領導者,專為極端溫
            • 關鍵字: CISSOID  SiC  

            CISSOID和泰科天潤(GPT)達成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用

            •   高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系,將共同開展研發(fā)項目,推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域實現(xiàn)廣泛應用?! ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議  泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時,是高溫半導體解決方案的領導者,專為極端溫
            • 關鍵字: CISSOID  碳化硅  

            基本半導體推出高性能碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)

            •   碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能,對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能,基本半導體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市,憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧?! iC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢  作為單極型器件,SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲存,其反向恢復電流主要取決于耗盡層結電容,反向恢復電荷以及反向恢復損耗比Si超快恢復二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重
            • 關鍵字: 基本半導體  SiC  

            宜特FSM化學鍍服務本月上線,無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

            •   隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求,為填補供應鏈中此一環(huán)節(jié)的不足,在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技,近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」,其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM,Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝,在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進行量產(chǎn),在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?! ⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝,在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上,除了提供濺射沉積(Sputteri
            • 關鍵字: 宜特  MOSFET  

            羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業(yè)博覽會”

            •   全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業(yè)博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上,羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業(yè)設備解決方案,吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足交流。  羅姆展臺掠影(展位號:6.1H A245)  近年來,羅姆向工業(yè)市場不斷進取,凝聚在消費電子設備和汽車相關領域培育的技術,致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開發(fā),并通過高品質(zhì)、穩(wěn)定供應的安心生產(chǎn)體制,持續(xù)不斷為工業(yè)設備發(fā)展做貢獻。
            • 關鍵字: 羅姆  SiC  功率元器件  

            MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

            • 1 引言
              MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調(diào)節(jié)電流,因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因,并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題,關于此問題,
            • 關鍵字: MOSFET  并聯(lián)  電流  分配  

            SiC功率半導體器件需求年增29%,X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

            •   隨著提高效率成為眾需求中的重中之重,并且能源成本也在不斷增加,以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術,現(xiàn)已變得更具性價比。此外,隨著市場的增長,由于規(guī)模經(jīng)濟的關系,SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來越具有吸引力。  功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比,SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復時間,從而實現(xiàn)更快的開關。此外,其反向恢復電荷要少很多,從而可降低開關損耗。此外,其反向恢復電荷要少很多,從而可降低開關損耗。就其本身
            • 關鍵字: X-FAB  SiC  

            安森美半導體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展

            •   電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力,用電機驅動車輪行駛,符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小,它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下,在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下,電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場,中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道,2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃,電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達480萬個,與現(xiàn)
            • 關鍵字: 安森美  IGBT  SiC  

            如何更加快速地為電動汽車充電

            • 推出電動汽車(EV)的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛情況和條件下,電動車輛皆可與基于內(nèi)燃機的車輛媲美。
            • 關鍵字: 電動汽車  SiC  傳輸電力  

            應用角:汽車 - 電動汽車電池斷開系統(tǒng)

            •   在電動和混合動力汽車中,需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接,而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體,包圍觸點以消除空氣。通常,在高壓電池系統(tǒng)中,需要三個接觸器:一個用于兩個主要電池導體,另一個更小的版本用于預充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示?! ‰妱悠囍圃焐涕L期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案,以解決電池斷開問題。功率半導
            • 關鍵字: MOSFET,混合動力  
            共1822條 53/122 |‹ « 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 » ›|

            碳化硅(sic)mosfet介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
            歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

            熱門主題

            樹莓派    linux   
            關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
            Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
            《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
            備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473