碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場
- MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。 MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
- 關(guān)鍵字： MOSFET DFN
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費類市場
- MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度，等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價仍會持續(xù)，只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn)，預(yù)計2018年6月可正式投產(chǎn)，擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達2億只左右。”陳金松說。 MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
- 關(guān)鍵字： MOSFET 晶圓
MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車用電子 供貨緊張
- 面對國際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車用電子領(lǐng)域，并開始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動裝置產(chǎn)品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營收成長力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場需求照理說會開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達淡季不淡的樂觀預(yù)期看法
- 關(guān)鍵字： MOSFET 芯片
MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力
- 以MLCC為代表的被動元件在進入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動元件市場行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價格上漲，即便是在溢價20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來。更嚴重的是，MOSFET芯片市場缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計到2019年局面才能改觀。 據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計將增長到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費類電子、電動汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
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MOSFET的半橋驅(qū)動電路設(shè)計要領(lǐng)詳解
- 關(guān)鍵字： 半橋驅(qū)動電路 MOSFET
如何確保MOS管工作在安全區(qū)
- 電源工程師最怕什么?炸機!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。 我們知道開關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時，就會導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸，非常危險。這里就衍生一個概念，安全工作區(qū)?！ ∫?、什么是安全工作區(qū)? 安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
我國第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破
- 近日，863計劃先進制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗收。 通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 SiC
精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案
- 精華！兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案-晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題，BP3216內(nèi)部集成MOSFET，體積小，特別適合燈絲燈的應(yīng)用；采用源極驅(qū)動，DCMB的控制方式，沒有二極管反向恢復(fù)，開關(guān)損耗小。P3216系列芯片內(nèi)部集成不同耐壓的MOSFET，可以滿足不同功率輸出的要求。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 可控硅調(diào)光 LED燈絲燈
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減
- 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標。為達此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載時的功率損耗。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 柵極屏蔽 快捷半導(dǎo)體
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