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	碳化硅(sic)mosfet
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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            • 關(guān)鍵字：
                        電源轉(zhuǎn)換器  SiC  MOSFET  逆變器  201707                          
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            英飛凌開始批量生產(chǎn)首款全碳化硅模塊，在PCIM上推出CoolSiC?系列產(chǎn)品的其他型號
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統(tǒng)成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優(yōu)勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產(chǎn)EASY 1B——英飛凌在2016年P(guān)CIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年P(guān)CIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品系列的其他模塊平臺和拓?fù)?。如今，英飛凌能夠更好地發(fā)揮碳化硅技術(shù)的潛力?！　∮w凌工業(yè)功率控
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  碳化硅                          
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            三菱電機攜多款碳化硅功率器件亮相PCIM Asia 2017展 
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)?！　∪怆姍C以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來”為主題，今年展出的功率器件應(yīng)用范圍跨越五大領(lǐng)域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用和新能源發(fā)電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產(chǎn)品?！　∽冾l家電市場　　在變頻家電應(yīng)用方面，三菱電機展出
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            • 關(guān)鍵字：
                        三菱電機  碳化硅                          
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            電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化
            
                                                            
              
                    	
            •  全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來越嚴(yán)格，對于電源設(shè)計工程師，如何設(shè)計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        電源模塊性能  PCB布局技術(shù)  MOSFET                          
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            SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案設(shè)計
            
                                                            
              
                    	
            •  人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
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            • 關(guān)鍵字：
                        SiC  集成技術(shù)  生物電信號  采集方案                          
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            基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案
            
                                                            
              
                    	
            • 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
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            • 關(guān)鍵字：
                        EEG  SiC  生物電信號采集  IMEC                          
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            碳化硅肖特基二極管在電源中的應(yīng)用
            
                                                            
              
                    	
            • 功率因數(shù)校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)。由于北美沒有管理PFC的規(guī)定，能源節(jié)省和空間/成本的考慮成為在消費類產(chǎn)品、計算機和通信領(lǐng)域中必須使用PFC的
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            • 關(guān)鍵字：
                        碳化硅  肖特基二極管  電源  DCM  PFC                          
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            三極管和MOS管做開關(guān)用時的區(qū)別
            
                                                            
              
                    	
            • 實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關(guān)控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
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            • 關(guān)鍵字：
                        三極管  MOSFET                          
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            功率MOSFET的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用
            
                                                            
              
                    	
            • “MOSFET(場效應(yīng)管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應(yīng)管)(Power MOSFET(場效應(yīng)管))是指它能輸出較大的工作電流
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            • 關(guān)鍵字：
                        功率MOSFET  MOSFET                          
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            電源設(shè)計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案
            
                                                            
              
                    	
            • 在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分立驅(qū)動器來保護同步整流器柵極免受過高電壓帶來的損壞。理想情況下，您可以利用電源變壓器直接驅(qū)動同步整流器，但是由于寬泛的輸入電壓變量，變壓器電壓會變得很高以至于可能會損壞同步整流器。
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            • 關(guān)鍵字：
                        分立器件  MOSFET  同步整流器  電源設(shè)計小貼士                          
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            電源設(shè)計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件
            
                                                            
              
                    	
            • 分立器件可以幫助您節(jié)約成本。價值大約 0.04 美元的分立器件可以將驅(qū)動器 IC 成本降低 10 倍。分立驅(qū)動器可提供超過2A 的電流并且可以使您從控制 IC 中獲得電力。此外，該器件還可去除控制 IC 中的高開關(guān)電流，從而提高穩(wěn)壓和噪聲性能。 
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            • 關(guān)鍵字：
                        德州儀器  分立器件  MOSFET  電源設(shè)計小貼士                          
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            MOSFET安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
            
                                                            
              
                    	
            • 即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
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            • 關(guān)鍵字：
                        安全工作區(qū)  MOSFET  LTC4233  熱插拔  熱插拔控制器                          
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            電源設(shè)計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
            
                                                            
                    
            
                
            
                                
            
                    
            電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
            
                                                            
              
                    	
            • 在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個溫度。
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            • 關(guān)鍵字：
                        熱插拔  MOSFET  網(wǎng)絡(luò)                          
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            碳化硅(sic)mosfet介紹
            
      			
            
		      	
            
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
             
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
            
    		
            
  		
            
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
            
    		
            
      			
            
        			
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