半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

IC業(yè)期待新政細(xì)則出臺(tái)

　　1月12日，國(guó)務(wù)院總理溫家寶主持召開國(guó)務(wù)院常務(wù)會(huì)議，研究部署進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策措施。為鼓勵(lì)軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，會(huì)議確定了6項(xiàng)政策措施。預(yù)計(jì)在未來(lái)兩個(gè)季度中，相關(guān)實(shí)施細(xì)則將會(huì)出臺(tái)，之后地方政策也將陸續(xù)制定完畢。這樣，在今年內(nèi)，軟件和集成電路行業(yè)將執(zhí)行新的行業(yè)扶植政策。　　
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海力士半導(dǎo)體債權(quán)人擬繼續(xù)沽售剩余股份

　　韓國(guó)《東亞日?qǐng)?bào)》周一報(bào)道，海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國(guó)金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會(huì)繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余股份尋找買家。　
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華力12英寸半導(dǎo)體廠試產(chǎn)期延至今年

　　去年1月中旬，當(dāng)華虹集團(tuán)與宏力半導(dǎo)體的聯(lián)姻——上海華力微電子有限公司(下稱“華力”)在上海動(dòng)工時(shí)，曾表示2010年年底前有望試產(chǎn)。不過(guò)顯然進(jìn)度延后了。　　“機(jī)臺(tái)剛剛遷進(jìn)來(lái)沒幾臺(tái)，量產(chǎn)應(yīng)該還要過(guò)一段時(shí)間。”華力一位內(nèi)部人士對(duì)《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》透露。　　
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集成的半導(dǎo)體光電智能探測(cè)器SOC研究

1 序言　　本文所討論的智能探測(cè)器，是一種集成的半導(dǎo)體光電探測(cè)器。它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光敏器件相比，最為明顯的特點(diǎn)是系統(tǒng)集成，即將硅光電二極管與信號(hào)的放大、處理電路及輸出電路集成在一個(gè)芯片上，使得整個(gè)系統(tǒng)的
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安森美完成收購(gòu)三洋半導(dǎo)體

　　安森美半導(dǎo)體公司(ON Semiconductor Corporation)宣布，安森美半導(dǎo)體已完成收購(gòu)三洋電機(jī)附屬公司三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社(SANYO Semiconductor Co., Ltd.)，以及與三洋電機(jī)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)相關(guān)的其它資產(chǎn)。安森美半導(dǎo)體已根據(jù)購(gòu)買協(xié)議的條款，向三洋電機(jī)支付約118億日?qǐng)A(1.44億美元)的現(xiàn)金，并根據(jù)與三洋電機(jī)訂立的貸款協(xié)議提取約317億日?qǐng)A(3.78億美元)。　　
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半導(dǎo)體行業(yè)Q3實(shí)現(xiàn)高營(yíng)收

　　半導(dǎo)體公司3季度營(yíng)收與盈利維持較高水平：全球主要半導(dǎo)體公司3季度營(yíng)收增長(zhǎng)顯著，毛利率基本處于歷史正常區(qū)間的較高水平，其中IC設(shè)計(jì)公司和晶圓代工企業(yè)的毛利率已接近歷史最高水平。　　
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)模式新思維

　　IC Insight公布2010 fabless 排名時(shí)，首次有13家fabless公司進(jìn)入銷售額超過(guò)10億美元的行列。其中的第10位Avago公司，2010年銷售額為12億美元。Avago是一家提供模擬，混合訊號(hào)芯片的fabless公司,它有三條小型芯片生產(chǎn)線，分別位于美國(guó)科羅拉多州,新加坡及馬來(lái)西亞。　　
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中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)需兼具“虎狼之性”

　　2010年12月初在美國(guó)硅谷采訪時(shí)，多次與幾家半導(dǎo)體公司高層人物的交談，均表明在美國(guó)，尤其是以硅谷為代表的半導(dǎo)體業(yè)能夠數(shù)十年活力常在，不外乎良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境、各類專注型人才、充沛的資本及恰當(dāng)?shù)陌l(fā)展模式。聯(lián)想到人才與發(fā)展模式這兩個(gè)長(zhǎng)期困擾中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的問(wèn)題，從中國(guó)經(jīng)濟(jì)的現(xiàn)狀來(lái)說(shuō)，錢應(yīng)該不是大問(wèn)題，那么其他條件呢? 　
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日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆設(shè)立“浙江大學(xué)羅姆獎(jiǎng)學(xué)金”

　　12月28日下午，日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)株式會(huì)社在浙江大學(xué)永謙活動(dòng)中心對(duì)浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)系及光電學(xué)系的10名大學(xué)生及碩士研究生頒發(fā)了“浙江大學(xué)羅姆獎(jiǎng)學(xué)金”。同時(shí)，浙江大學(xué)授予羅姆(ROHM)株式會(huì)社常務(wù)董事高須秀視客座教授稱號(hào)。此次是浙大光電系首次聘請(qǐng)非教育家日本人為客座教授。羅姆(ROHM)集團(tuán)表示今后繼續(xù)加強(qiáng)與浙江大學(xué)的合作，擴(kuò)大對(duì)優(yōu)秀學(xué)子的支援。　　據(jù)悉，羅姆(ROHM)集團(tuán)于今年8月30日與浙江大學(xué)簽訂“浙江大學(xué)羅姆獎(jiǎng)學(xué)金制度&rd
關(guān)鍵字： ROHM 半導(dǎo)體大學(xué)

安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)三洋半導(dǎo)體

　　安森美半導(dǎo)體(OnSemiconductor)在一份聲明中稱，已完成收購(gòu)三洋電機(jī)旗下的三洋半導(dǎo)體(SANYOSemiconductor)。　　周一早盤，ONSemiconductor上揚(yáng)1.11%報(bào)9.99美元。
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半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)

　　2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，使DRAM價(jià)格走向跌勢(shì)，并于2010年12月下半跌破1美元，僅達(dá)0.97美元。　　
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Fabless將繼續(xù)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步

　　Fabless模式創(chuàng)建于10多年之前。全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA的總裁Jodi Shelton再次表示Fabless公司將更多的呈現(xiàn)，成長(zhǎng)與繁榮。本文將匯總Fabless模式取得的成就。　　從1994年開始由一批產(chǎn)業(yè)的精英成立Fabless半導(dǎo)體協(xié)會(huì)，F(xiàn)SA。目的為了在Fabless與它的合作伙伴之間提供一個(gè)平臺(tái)，創(chuàng)造一個(gè)更利于產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的環(huán)境。它們相信Fabless模式具生命力，而且可持續(xù)的增長(zhǎng)。
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ATIC增持GlobalFoundries股份

　　阿布扎比政府投資企業(yè)先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)本周進(jìn)一步增持了手中的GlobalFoundries股份，也再次削弱了AMD在這家合資晶圓制造企業(yè)中的地位。　
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安智電子材料與IBM共同開發(fā)新世代微影技術(shù)

　　在半導(dǎo)體和平面顯示器產(chǎn)業(yè)居領(lǐng)導(dǎo)地位的主要電子化學(xué)品供應(yīng)商安智(AZ)電子材料(倫敦股票交易所：AZEM)與IBM簽署了一項(xiàng)協(xié)議(紐約證券交易所：IBM)開發(fā)新世代的微影技術(shù)。安智將與IBM-Almaden研究中心的材料研發(fā)團(tuán)隊(duì)共同開發(fā)一種以塊狀聚合物為基礎(chǔ)的材料，可以應(yīng)用在與傳統(tǒng)的微影及半導(dǎo)體制程設(shè)備相容的定向自組裝(Directed Self-Assembly, DSA)制程。　　
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大功率IGBT“中國(guó)芯”下線

　　具有世界最先進(jìn)水平的首批最大功率IGBT產(chǎn)品在中國(guó)北車山西永濟(jì)電機(jī)公司成功下線。這個(gè)順利通過(guò)動(dòng)靜態(tài)試驗(yàn)的6500V/600A IGBT產(chǎn)品，是目前世界上電壓等級(jí)最高的產(chǎn)品，將為我國(guó)軌道交通裝備提供強(qiáng)勁的“中國(guó)芯”。　　
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]