半導(dǎo)體 文章 進入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
SIA:今年全球半導(dǎo)體銷售額將破3000億美元
- 據(jù)國外媒體報道,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(以下簡稱“SIA”)周一發(fā)布報告稱,2010年全球半導(dǎo)體銷售額將達到3005億美元,同比增長32.8%。 如果實現(xiàn)該目標,這將是全球半導(dǎo)體年銷售額首次突破3000億美元大關(guān)。但在未來幾年內(nèi),半導(dǎo)體市場則不容樂觀。SIA預(yù)計,2011年銷售額將達到3187億美元,漲幅只有6%。2012年預(yù)計將達到3297億美元,漲幅為3.4%。 SIA總裁布萊恩-圖希(Brian Toohey)稱:“今年全球半導(dǎo)體銷售額之所以將創(chuàng)紀錄,是因
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“十二五”半導(dǎo)體投資超2700億元
- 中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會表示,“十二五”期間,我國半導(dǎo)體行業(yè)的投資有望超過2700億元,較“十一五”增加1倍。 全球前3大MOCVD制造商Aixtron、Veeco及大陽日酸,09年市占率分別為68.3%、25.6%、4.5%。大陽日酸12年MOCVD銷售目標100億日元,為09年的3倍。 意法半導(dǎo)體表示,不計存儲芯片在內(nèi)的全球芯片市場預(yù)計10年增幅將在20%至30%之間,11年將增長5%至10%,并認為該公司業(yè)績?nèi)詫⒑糜谕瑯I(yè)。 資策會產(chǎn)業(yè)情
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全球半導(dǎo)體聯(lián)盟打造3D集成電路計劃
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代言者全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)日前宣布,將在全球范圍提升3D IC技術(shù)以及相關(guān)教育計劃的認知度和可見性。 GSA高薪聘請半導(dǎo)體行業(yè)的資深專家Herb Reiter,他是eda 2 asic Consulting公司總裁、長期以來的GSA領(lǐng)袖和領(lǐng)導(dǎo)3D IC計劃的擁護者。該計劃包括成立一支3D IC工作團隊,并由Reiter領(lǐng)導(dǎo)。這支團隊將云集幾大主要半導(dǎo)體公司及供應(yīng)鏈的重要力量,包括EDA、封裝和代工。
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EUV:終極的曝光技術(shù)
- 面向超越22nm工藝的最尖端半導(dǎo)體而正在研發(fā)的新技術(shù)——采用13.5nm這一超短波長的新一代曝光技術(shù)EUV(extreme ultraviolet)即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術(shù)實現(xiàn)了半導(dǎo)體的極小線寬,因而被稱為“終極的曝光技術(shù)”。另一方面,與現(xiàn)有的曝光技術(shù)相比,用于批量生產(chǎn)的技術(shù)壁壘非常高,所以至今為止仍無法擺脫“夢幻”技術(shù)的色彩。與以往的曝光技術(shù)相比,其技術(shù)壁壘之高主要體現(xiàn)在光源波長非常小上。
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國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備破冰
- 半導(dǎo)體工藝裝備是一個非常復(fù)雜的系統(tǒng)。多年來,中國半導(dǎo)體行業(yè)所需設(shè)備幾乎全部依賴進口。近20年來,中國半導(dǎo)體行業(yè)的強勁發(fā)展不僅沒有拉動中國半導(dǎo)體裝備的發(fā)展,反而由于引進的沖擊使中國的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)瀕臨全軍覆沒。 隨著中國近年來集成電路、光伏、LED、FPD產(chǎn)業(yè)與國際先進水平差距的縮小,相關(guān)的配套材料、零備件、工藝設(shè)備、維護服務(wù)等支撐行業(yè)迎來了千載難逢的發(fā)展機遇。國家重大科技專項的實施,大大增強了中國半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的整體競爭能力。
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我國政府對半導(dǎo)體行業(yè)支持力度加大
- 據(jù)《上海證券報》10月28日報道,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會表示,“十二五”期間,我國半導(dǎo)體行業(yè)的投資有望超過2700億元,較“十一五”增加1倍。 報道稱,該協(xié)會人士表示,我國將繼續(xù)通過“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”支持集成電路產(chǎn)業(yè),且支持力度還將加大。在政府的全方位扶持下,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來一個“黃金時期”,龍頭上市公司有望被培育成具有國際競爭力的企業(yè)。
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]
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