半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

三星電子2010年營業(yè)額再創(chuàng)新高

　　三星電子公布了2010年業(yè)績數(shù)據(jù)。其2010年營業(yè)額為154.63兆韓元、營業(yè)利潤為17.30兆韓元、純利潤16.15兆韓元。其中營業(yè)額比上年增長13.4%，經(jīng)營利潤比上年增長58.3%，再次打破了三星電子的歷史記錄。　　
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Tensilica擴(kuò)大對華為子公司海思半導(dǎo)體的授權(quán)

　　Tensilica日前宣布，進(jìn)一步擴(kuò)大了對華為子公司海思半導(dǎo)體使用Tensilica數(shù)據(jù)處理器(DPU)、ConnX?基帶引擎(BBE16)和HiFi音頻DSP(數(shù)字信號處理)IP核的授權(quán)(上一次授權(quán)在2010年2月9日宣布)，這些技術(shù)可用于LTE(長期演進(jìn)技術(shù))基站、手持移動設(shè)備、其他網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施及客戶端設(shè)備的芯片設(shè)計。　　
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從機(jī)械到智能硅技術(shù)引領(lǐng)汽車設(shè)計時代

引言現(xiàn)代汽車中的半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品正在迅猛增加,消費者對附加功能的需求正將汽車從一個以電氣系統(tǒng)...
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三星電子與IBM達(dá)成專利交叉授權(quán)協(xié)議

　　三星電子(Samsung Electronics)與藍(lán)色巨人IBM于美國時間8日聯(lián)合宣布，雙方已達(dá)成一項專利交叉授權(quán)協(xié)議，惟協(xié)議具體條款并未披露。　　在過去數(shù)十年來，IBM與三星在包括半導(dǎo)體、通訊、移動通信、軟件和技術(shù)服務(wù)等多項領(lǐng)域，建立專利合作關(guān)系。新簽署的專利交叉授權(quán)協(xié)議將允許雙方自由使用合作伙伴的專利發(fā)明，借此使2公司與先進(jìn)科技以及市場需求同步化?！　?/li>
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TSMC 2011年1月營收同比增長18.1%

　　TSMC 10日公布2011年1月營收報告，就非合并財務(wù)報表方面，營收約為新臺幣344億2,400萬元，較2010年12月增加了2%，較2010年同期則增加了18.1%。　　就合并財務(wù)報表方面，2011年1月營收約為新臺幣353億7,100萬元，較2010年12月增加了1.4%，較2010年同期則增加了17.4%。　　TSMC營收報告(非合并財務(wù)報表)：　　單位：新臺幣佰萬元　　項目 2011年* 2010年增(減) % 　　1月營收 34,424 29,156 18.1 　　*
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“新18號文”正式發(fā)布

　　集成電路產(chǎn)業(yè)期待已久的《進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》正式發(fā)布，以下為文件全文：　　國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知國發(fā) 〔2011〕 4 號　　各省、自治區(qū)、直轄市人民政府，國務(wù)院各部委、各直屬機(jī)構(gòu)：　　現(xiàn)將《進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》印發(fā)給你們，請認(rèn)真貫徹執(zhí)行。　　軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國民經(jīng)濟(jì)和社會信息化的重要基礎(chǔ)。近年來，在國家一系列政策措施的扶持下，經(jīng)過各方面共同努力，我國軟件產(chǎn)業(yè)
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BCD半導(dǎo)體四季度凈利潤環(huán)比下降45.7%

　　BCD半導(dǎo)體周二盤后公布了截至2010年12月31日的2010年第四季度和2010全年的財報。　　財報顯示，2010年第四季度BCD半導(dǎo)體實現(xiàn)營收3160萬美元，環(huán)比下降18.1%，同比增長14.1%;毛利率31.8%，低于前一季度的 34.7%;運(yùn)營費用590萬美元，與2010年第三季度持平，2009年同期的運(yùn)營費用為600萬美元;運(yùn)營利潤410萬美元、運(yùn)營利潤率13%，較前一季度的740萬美元、19.3%均有明顯回落;凈利潤380萬美元，大幅低于2010年第三季度的700萬美元，環(huán)比降幅高達(dá)4
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SEMI SMG：2010年硅晶圓出貨量強(qiáng)勢反彈 2011年需求依然堅實

　　據(jù)SEMI SMG發(fā)布的年終統(tǒng)計，2010年全球硅晶圓出貨量較2009年增長40%，銷售收入增長45%。　　2010年硅晶圓出貨面積總量為93.70億平方英寸，2009年為67.07億平方英寸。銷售收入從2009年的67億美元增至97億美元。“顯然2010年是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勢反彈的一年，致使硅晶圓需求大增40%。”SEMI SMG主席、Siltronic副總裁Volker Braetsch博士說道，“基于當(dāng)前的市場預(yù)測，我們預(yù)計2011年硅晶圓市場仍保持堅實的需求
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全球芯片采購商十強(qiáng)市場份額達(dá)34.7%

　　據(jù)Gartner的統(tǒng)計，以HP為首的全球十大半導(dǎo)體采購商在2010年共消費半導(dǎo)體芯片1043億美元，占市場份額的34.7%。　　Gartner認(rèn)為2010全球半導(dǎo)體銷售額為3003億美元，與09年相比增長33.7%。　　2009年的前10位采購商中有8家仍在2010的前10中，其中三家來自美國，其它來自亞太地區(qū)與日本，Nokia是唯一來自歐洲的廠商。
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2011年半導(dǎo)體資本支出將超590億美元

　市場調(diào)研公司IC Insights日前表示，2011年半導(dǎo)體制造商的資本支出將超過590.7億美元，較2010年增長15%。　　IC Insights稱：“2011年25家半導(dǎo)體制造商的資本支出情況如圖表顯示，其中有5家公司的資本支出超過30億美元，這一數(shù)字與2010年維持相同，而2009年僅為2家?！? 　　5家公司分別為Samsung, Intel, TSMC, Globalfoundries及Hynix。　　2011年前10大資本支出增長最快的制造商中有5家來自DR
關(guān)鍵字： intel 半導(dǎo)體

Gartner:全球十大半導(dǎo)體廠商排名出爐

2010年12月9日，中國北京—根據(jù)全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner的初步調(diào)查，在經(jīng)歷了全球經(jīng)濟(jì)衰退之后，2010年全球半導(dǎo)體市場出現(xiàn)反彈，總收入達(dá)到了3,003億美元，比2009年增長了31.5%。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體英特爾

2010年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況

受到金融危機(jī)影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)大幅下滑，在各國政府實施經(jīng)濟(jì)刺激計劃，各公司通過大規(guī)模減產(chǎn)和工廠重組來減少供應(yīng)庫存的情況下，從2009年2季度開始市場逐步回升，2010全球半導(dǎo)體市場預(yù)計達(dá)到3003億美元，同比增長31.5%。
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塑料基底晶體管在美研制成功

　　晶體管制造一般是用玻璃作基底材料，這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定，從而保證用電設(shè)備所需的電流。據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)1月27日報道，美國佐治亞理工大學(xué)研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩(wěn)定，還能在可控的環(huán)境中，以低于150攝氏度的條件在塑料基底上大量生產(chǎn)，因此可用于柔韌可彎曲的塑料電子設(shè)備。研究論文發(fā)表在近期的《先進(jìn)材料》雜志網(wǎng)站上。　　
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2011半導(dǎo)體制造商支出將超590.7億美元

　　市場調(diào)研公司IC Insights日前表示，2011年半導(dǎo)體制造商的資本支出將超過590.7億美元，較2010年增長15%。　　IC Insights稱：“2011年25家半導(dǎo)體制造商的資本支出情況如圖表顯示，其中有5家公司的資本支出超過30億美元，這一數(shù)字與2010年維持相同，而2009年僅為2家?！?/li>
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IBM和ARM將加強(qiáng)移動電子市場合作

　　1月19日消息，據(jù)外國媒體報道，IBM和ARM計劃加強(qiáng)移動電子市場合作的同時，還會共同合作提高14納米半導(dǎo)體技術(shù)。　　這兩個公司已經(jīng)簽署了一系列優(yōu)化物理和處理器知識產(chǎn)權(quán)的合作協(xié)議，以加速下一代移動產(chǎn)品發(fā)展。　　
關(guān)鍵字： ARM 14納米半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]