功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)

如何解決驅(qū)動(dòng)單元設(shè)計(jì)中的電磁兼容問(wèn)題

電磁干擾一般通過(guò)空間輻射和通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)傳導(dǎo)，在工程領(lǐng)域一直是人們要解決的難題和研究熱點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)單元作為大功率...
關(guān)鍵字：電磁兼容電磁干擾逆變功率器件

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)介紹,我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，電能將會(huì)成為我們主要的消耗能源。大至高速列車(chē)，小至手機(jī)，都不能脫離電能而存在。無(wú)論什么類(lèi) ...
關(guān)鍵字： IR 功率器件節(jié)能設(shè)計(jì)

　　揚(yáng)州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展，從電線(xiàn)電纜獨(dú)大，到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線(xiàn)電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強(qiáng)，電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來(lái)將通過(guò)規(guī)劃引導(dǎo)、項(xiàng)目推動(dòng)、創(chuàng)新突破等3大舉措，促進(jìn)電子制造業(yè)加快發(fā)展。　　布局3大產(chǎn)業(yè) 　　揚(yáng)州電子制造業(yè)形成電線(xiàn)電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進(jìn)新格局，結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。　　目前，揚(yáng)州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級(jí)高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力，多晶硅太陽(yáng)能電池年產(chǎn)
關(guān)鍵字：電子制造功率器件

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：隔離驅(qū)動(dòng) PowerMOSFET 功率器件

1 引言80年代問(wèn)世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開(kāi)關(guān)電源、變頻
關(guān)鍵字： IGBT 功率器件方法

所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱(chēng)為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體 ...
關(guān)鍵字：功率器件

11、請(qǐng)問(wèn)：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過(guò)一個(gè)比較 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，其磁場(chǎng)檢測(cè)的敏感度適合于多種產(chǎn)品設(shè)計(jì)的接近效應(yīng)與位置檢測(cè)功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進(jìn)行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
關(guān)鍵字： Diodes 功率器件霍爾效應(yīng)

　　“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開(kāi)展，中國(guó)開(kāi)始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國(guó)家的重視，近兩年更是列入國(guó)家重大科技專(zhuān)項(xiàng)中提供多方位的支持。　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
關(guān)鍵字：新能源功率器件 IGBT

　　上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
關(guān)鍵字：富士通功率器件 GaN

　　富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過(guò)硅晶圓直徑的增加，來(lái)實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo)，富
關(guān)鍵字：富士通功率器件硅基板