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	功率器件
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
            
                                                            
              
                    	
            • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是說，相同的器件封裝可以采用更大電流規(guī)格的芯片，使輸出電流更大，但同時實際的損耗和發(fā)熱量也會明顯增大。功率器件中的分立器件、Easy系列模塊，Eco
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            • 關鍵字：
                        英飛凌  功率器件  PCB設計                          
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            國產(chǎn)1700V GaN器件進一步打開應用端市場
            
                                                            
              
                    	
            • 遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結(jié)（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開關測試需求，在靜態(tài)測試條件下，1700V時測得
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            • 關鍵字：
                        GaN  電流崩塌  功率器件                          
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            功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子
            
                                                            
              
                    	
            • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的，但是IGBT芯片的關斷電流能力很強，在單管里是標稱電流的3倍或4倍，模塊由于考慮多芯片并聯(lián)等因素，關斷電流能力定義為標稱電流的2倍。在實際系統(tǒng)設計中，器件輸出電流能力往往受限于芯片的
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            • 關鍵字：
                        英飛凌  功率器件                          
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            牛人居然把功率MOS剖析成這樣，很難得的資料！
            
                                                            
              
                    	
            • 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加
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            • 關鍵字：
                        功率器件  MOSFET  電路                          
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            功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
            
                                                            
              
                    	
            • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態(tài)熱阻曲線的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個重要參數(shù)。在被動整流應用中，由于電網(wǎng)的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流
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            • 關鍵字：
                        英飛凌  功率器件  瞬態(tài)熱阻                          
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            博世將獲美芯片補貼擴產(chǎn)SiC半導體
            
                                                            
              
                    	
            • 據(jù)媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導體。據(jù)悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產(chǎn)碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產(chǎn) SiC 芯片，據(jù)估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。
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            • 關鍵字：
                        博世  碳化硅  功率器件                          
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            羅姆、臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
            
                                                            
              
                    	
            • 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化鎵 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V 氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電業(yè)界先進的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術優(yōu)勢結(jié)合起來，滿足市場對高耐壓和高頻特性優(yōu)異的功率器件日益增長的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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            • 關鍵字：
                        羅姆  臺積電  氮化鎵  功率器件                          
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            功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
            
                                                            
              
                    	
            • / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——R th /Z th 基礎：IEC 60747-9即GB/T 29332半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（等同采用）中描述了測量的基本原理。確定熱阻抗的
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            • 關鍵字：
                        英飛凌  功率器件，瞬態(tài)熱測量                          
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            全球 33 家 SiC 制造商進展概覽
            
                                                            
              
                    	
            • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴大，并將保持高速增長。
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            • 關鍵字：
                        SiC  功率器件                          
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            Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合，專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應用而優(yōu)化設計
            
                                                            
              
                    	
            • 為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求，功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設計人員提供廣泛的電源解決方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓撲結(jié)構(gòu)以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸，旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動飛機（MEA）中電源應用的關鍵構(gòu)件
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            • 關鍵字：
                        Microchip  IGBT 7  功率器件                          
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            中芯國際：部分邏輯電路產(chǎn)能將轉(zhuǎn)向功率器件
            
                                                            
              
                    	
            • 大半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，日前，中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，為滿足公司客戶的需求，公司將加速布局功率器件產(chǎn)能，充分支持汽車工業(yè)和新能源市場的發(fā)展。中芯國際將會在此前宣布的邏輯電路產(chǎn)能基礎上，調(diào)轉(zhuǎn)一部分來做功率器件，不會因為增加功率器件生產(chǎn)而新增產(chǎn)能規(guī)模或投資。趙海軍表示，會把原來已有的背面處理、鍵合、邏輯電路等已有工藝能力遷移到功率產(chǎn)品中，這也是之后與客戶合作的方向。
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            • 關鍵字：
                        中芯國際  邏輯電路  功率器件  新能源                          
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            新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期
            
                                                            
              
                    	
            • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 
功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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            • 關鍵字：
                        新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測                          
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            TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%
            
                                                            
              
                    	
            • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據(jù)介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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            • 關鍵字：
                        功率器件  GaN                          
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            英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導體晶圓廠
            
                                                            
              
                    	
            • IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產(chǎn)，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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            • 關鍵字：
                        英飛凌  碳化硅  功率器件                          
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            功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑
            
                                                            
              
                    	
            • 由于功率模塊的設計和幾何形狀可以實現(xiàn) EMI 建模，從而使設計人員能夠在設計流程的早期預測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應。相鄰或共用導電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導體器件在工作期間需要進行快速開關，因此通常會產(chǎn)生傳導型 EMI。在開關狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關狀態(tài)間
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            • 關鍵字：
                        WOLFSPEED  功率器件  EMI                          
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