?nand flash 文章進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)

三星與SanDisk續(xù)簽7年NAND專利許可協(xié)議

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子周三宣布，以更低的許可價(jià)格，與美國(guó)芯片生產(chǎn)商SanDisk續(xù)簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過(guò)協(xié)議規(guī)定三星必須向SanDisk供應(yīng)芯片。　　三星在提交給韓國(guó)證交所的文件中稱，由于協(xié)議是2家公司內(nèi)部簽署的，無(wú)法透露所有信息，但可以透露的是，許可費(fèi)將是當(dāng)前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長(zhǎng)和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對(duì)于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿意，此外，繼續(xù)獲得三星閃存芯片可使我們?cè)诳刂瀑Y本支出上擁有更大的靈活性。　　新協(xié)
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Unity可能與IM Flash合作制造RRAM

　　近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國(guó)Unity Semiconductor公司計(jì)劃找一家IDM合作建廠來(lái)制造該產(chǎn)品。　　Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠建在亞洲，因?yàn)樵摯鎯?chǔ)產(chǎn)品需用到鈣鈦礦。　　據(jù)悉，建該工廠和一座先進(jìn)邏輯晶圓廠相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過(guò)了
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NAND Flash買(mǎi)氣急凍　通路庫(kù)存塞車(chē)

　　NAND Flash經(jīng)歷2個(gè)月價(jià)格狂飆后，近期市場(chǎng)買(mǎi)氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫(kù)存急增，開(kāi)始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價(jià)時(shí)，通路商一度擔(dān)心會(huì)缺貨，因而囤積不少庫(kù)存，然5月NAND Flash市場(chǎng)卻出乎意外地很快冷卻下來(lái)，由于消費(fèi)者需求不振，導(dǎo)致中間通路商手上庫(kù)存整個(gè)塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)跌破4美元心理關(guān)卡，合約價(jià)漲勢(shì)亦熄火，模組廠5月同時(shí)面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應(yīng)在營(yíng)收表現(xiàn)上。　　模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場(chǎng)
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美硅谷公司開(kāi)發(fā)出數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新技術(shù) 有望取代NAND閃存

　　美國(guó)硅谷一家公司19日宣布開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，并計(jì)劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫(xiě)速度更快的新型存儲(chǔ)器。　　這家名為“統(tǒng)一半導(dǎo)體”的公司發(fā)布新聞公報(bào)說(shuō)，新型存儲(chǔ)器的單位存儲(chǔ)密度有望達(dá)到現(xiàn)有NAND型閃存芯片的4倍，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度有可能達(dá)到后者的5倍到10倍。　　NAND型閃存因?yàn)榇鎯?chǔ)容量大等特點(diǎn)，目前在數(shù)碼產(chǎn)品中應(yīng)用比較廣泛。但也有一些專家認(rèn)為，NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限，容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高。“統(tǒng)一半導(dǎo)體”表示，其制造的新型存儲(chǔ)器旨在
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三星預(yù)計(jì)今年全球芯片商仍將艱難度日

　　全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商--韓國(guó)三星電子公司11日預(yù)計(jì)，由于全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)惡化，2009年對(duì)于芯片商而言是艱難的一年。　　據(jù)道瓊斯新聞網(wǎng)報(bào)道，三星電子公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉當(dāng)天對(duì)投資者說(shuō)，很難預(yù)測(cè)全球芯片市場(chǎng)何時(shí)回暖。他說(shuō)，隨著企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開(kāi)支以及消費(fèi)者收緊“腰包”，今年以來(lái)全球個(gè)人電腦和手機(jī)市場(chǎng)需求正在持續(xù)萎縮。　　不過(guò)，他指出，今年三星公司的存儲(chǔ)芯片出貨量仍將繼續(xù)增加，預(yù)計(jì)今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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為功耗敏感應(yīng)用選擇最佳的低功耗、低成本FPGA

功耗敏感應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員如今面對(duì)前所未有嚴(yán)格的系統(tǒng)總體功耗限制、規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。與此同時(shí)，這類應(yīng)用所要求的功...
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恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開(kāi)發(fā)閃存控制器

　　恒憶半導(dǎo)體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開(kāi)發(fā)協(xié)議，三方將按照J(rèn)EDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，為下一代managed-NAND解決方案開(kāi)發(fā)閃存控制器。預(yù)計(jì)此項(xiàng)合作將加快當(dāng)前業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的eMMC標(biāo)準(zhǔn)的推廣，有助于管理和簡(jiǎn)化大容量存儲(chǔ)需求，提高無(wú)線設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的整個(gè)系統(tǒng)級(jí)性能。　　根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開(kāi)發(fā)能夠支持各種NAND閃存
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內(nèi)存行業(yè)或已觸底現(xiàn)貨漲價(jià)但復(fù)蘇道路漫長(zhǎng)

　　《華爾街日?qǐng)?bào)》撰文稱，從上周末三星和海力士發(fā)布的財(cái)報(bào)可以看出，內(nèi)存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)積極的信號(hào)。　　雖然內(nèi)存芯片行業(yè)收入只占全球半導(dǎo)體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門(mén)區(qū)分開(kāi)來(lái)，因此是芯片行業(yè)整體表現(xiàn)的主要指標(biāo)。內(nèi)存行業(yè)下滑開(kāi)始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開(kāi)始了全面衰退。　　上周五，兩家全球最大的內(nèi)存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報(bào)告時(shí)稱，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
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iSuppli：存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)恢復(fù)盈利還為時(shí)過(guò)早

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè)觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。繼　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè)觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。
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TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　TDK公司日前宣布開(kāi)發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計(jì)劃于五月份開(kāi)始銷(xiāo)售。　　TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達(dá)95MB/S的高速訪問(wèn)。該產(chǎn)品支持2KB/頁(yè)和4KB/頁(yè)結(jié)構(gòu)的SLC(單層單元)內(nèi)存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲(chǔ)。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲(chǔ)器，到視聽(tīng)設(shè)
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場(chǎng)復(fù)蘇的報(bào)告過(guò)于夸張

　　在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護(hù)自己的形象，紛紛強(qiáng)調(diào)潛在的市場(chǎng)復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè)觀的圖景。但是，雖然預(yù)計(jì)總體內(nèi)存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認(rèn)為，這些廠商不會(huì)在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。　　繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內(nèi)增長(zhǎng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計(jì)將增長(zhǎng)3.6%，第三和第四季度分別增長(zhǎng)21.9%和17.5%。　　圖4所示為iSuppli公
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自動(dòng)圖像報(bào)警系統(tǒng)研究及單片機(jī)實(shí)現(xiàn)

報(bào)警系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于銀行、飯店、交通管理以及智能大廈等場(chǎng)所和領(lǐng)域。傳統(tǒng)的自動(dòng)報(bào)警裝置，大多采用單點(diǎn)信號(hào)報(bào)警，即在某一特定位置安放傳感器，當(dāng)該采集點(diǎn)處的物理量達(dá)到報(bào)警門(mén)限時(shí)，就向中心控制計(jì)算機(jī)發(fā)出報(bào)警請(qǐng)求
關(guān)鍵字：單片機(jī) 實(shí)現(xiàn) 研究報(bào)警系統(tǒng) 圖像自動(dòng) 圖像報(bào)警 RISC FLASH CPLD 自適應(yīng) 單片機(jī)

瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU

　　瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”）于2009年4月7日宣布推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器微控制器（Flash微控制器）。這個(gè)系列是32位SuperH™ RISC系列*1的新成員，它為AC伺服、FA（工廠自動(dòng)化）設(shè)備、樓宇自動(dòng)化（空調(diào)和電力監(jiān)控設(shè)備）和各種通信設(shè)備等工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了200 MHz操作和大量?jī)?nèi)置式外設(shè)及通信功能。SH7216系列包含12個(gè)產(chǎn)品群的36款器件，其片上存儲(chǔ)器容量和封裝類型各有不同。這些產(chǎn)品的主要特性如下： (1) 達(dá)到
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位

　　針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。　　集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運(yùn)狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續(xù)轉(zhuǎn)往42納米及3x納米，預(yù)期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉(zhuǎn)往 43納米及32納米，預(yù)期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。　　集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
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