?nand flash 文章進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)

HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU

　　03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對(duì)已制造好的產(chǎn)品進(jìn)行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達(dá)十萬次，此項(xiàng)特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級(jí)，提供更高的附加
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NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩芯片廠欲推遲建廠計(jì)劃

　　日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對(duì)未來市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。　　市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀?！? 　　但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
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ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn) MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機(jī)嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測(cè)試

　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢(shì)迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對(duì)YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進(jìn)行在線測(cè)試。在給出測(cè)試結(jié)果的同時(shí)，著重研究嵌入式軟件測(cè)試方案和方法;對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS 　　引言　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗軟件測(cè)試 YAFFS

商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問題

　　北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟(jì)衰退導(dǎo)致電腦和消費(fèi)電子產(chǎn)品銷售增長(zhǎng)減速，對(duì)英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤(rùn)造成很大壓力。　　英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品。兩年多來，英特爾巧妙地避過了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。　　全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計(jì)其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預(yù)期水平。在第
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Flash 單片機(jī)自編程技術(shù)的探討

???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲(chǔ)器模塊是一個(gè)可獨(dú)立操作的物理存儲(chǔ)器單元。全部模塊安排在同一個(gè)線性地址空間中，一個(gè)
關(guān)鍵字： Flash 單片機(jī) 自編程

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
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TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實(shí)現(xiàn)

　　l 引言　　在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項(xiàng)重要的工作要做：怎樣實(shí)現(xiàn)程序代碼的脫機(jī)加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實(shí)際應(yīng)用中，多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡(jiǎn)單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨(dú)立運(yùn)行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲(chǔ)體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。這就需要1個(gè)能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)體。Flash
關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash

分析師稱NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰

　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì)再一次崩潰。　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計(jì)算機(jī)公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購?，F(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會(huì)對(duì)NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。　　Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動(dòng)，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價(jià)格的下降。　　這位分析師稱，雖然自從2
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線不斷擴(kuò)大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說是一團(tuán)混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢(shì)，雖然大家對(duì)于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀點(diǎn)：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器

基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

本文采用USB接口的ICP方法，燒寫速度快，無需專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，硬件通過微處理器JB8的USB接口與計(jì)算機(jī)USB口連接即可。
關(guān)鍵字： Flash USB 908 JB8

Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報(bào)告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計(jì)將達(dá)到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。　　Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點(diǎn)是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實(shí)繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計(jì)隨著DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將糾正資本開支的長(zhǎng)期錯(cuò)誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場(chǎng)的開支將減少。代工廠商開支增長(zhǎng)速度減緩和由于擔(dān)心美國經(jīng)濟(jì)衰退而采取的謹(jǐn)慎態(tài)度都是造成20
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND 閃存 IC自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 ATE

供大于求明年NAND閃存市場(chǎng)難以復(fù)蘇

　　比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人編譯) 據(jù)國外媒體報(bào)道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場(chǎng)仍將處于供大于求的局面，這不僅對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價(jià)格。　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價(jià)格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價(jià)格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價(jià)格沒有出現(xiàn)大幅滑落。　　NAND閃存合同價(jià)格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
關(guān)鍵字： NAND 閃存市場(chǎng) 存儲(chǔ)器

2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

　　以DRAM和Flash為代表的存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價(jià)格與合約價(jià)格不斷創(chuàng)下新低，價(jià)格壓力充斥著整個(gè)上一季度。由于價(jià)格走低，對(duì)于NAND閃存等存儲(chǔ)器的需求正在升溫。呈井噴之勢(shì)的預(yù)測(cè)數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個(gè)巨大而不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)即將出現(xiàn)。某些預(yù)測(cè)顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長(zhǎng)至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。　　大舉擴(kuò)產(chǎn)NAND閃存　　低價(jià)同時(shí)也推動(dòng)了需求的增長(zhǎng)，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器