EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
?nand flash
?nand flash 文章 進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)
三星和海力士獲得蘋(píng)果7000萬(wàn)NAND大單
- 4月15日消息 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道 蘋(píng)果最近向韓國(guó)三星電子與海力士?jī)杉夜鞠聠?,要求供?yīng)7000萬(wàn)顆NAND型閃存芯片,用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成,引發(fā)蘋(píng)果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國(guó)時(shí)報(bào)指出,有可靠的消息來(lái)源透露“三星電子被要求供應(yīng)5000萬(wàn)顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋(píng)果,而海力士也將供應(yīng)2000萬(wàn)顆。” 部分分析師認(rèn)為,蘋(píng)果這次大規(guī)模訂單,將刺激韓國(guó)芯片廠商業(yè)績(jī),同時(shí),也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復(fù)蘇。 分析師還指出,N
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND 芯片
三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲(chǔ)看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說(shuō)過(guò),如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計(jì)劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺(tái)的話,那么10年以后他們就會(huì)陷入那樣的噩夢(mèng)之中。 這并非危言聳聽(tīng),過(guò)去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲(chǔ)性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤(pán)就可以了,而且那樣做也很方便?,F(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
- 關(guān)鍵字: IBM NAND 固態(tài)存儲(chǔ)
Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器在E5中的應(yīng)用
- 1. E5的特點(diǎn)及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國(guó)硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內(nèi)核,但將微處理器的內(nèi)核,ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體,構(gòu)成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點(diǎn) - 關(guān)鍵字: E5 應(yīng)用 存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造
- 美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估??蛻?/li>
- 關(guān)鍵字: FSI NAND 存儲(chǔ)器
FSI國(guó)際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶對(duì)制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字: FSI 半導(dǎo)體 NAND
DRAMeXchange:2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計(jì)將減小59%
- 據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道,市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長(zhǎng)幅度將較2008大64%,而2007年位增長(zhǎng)率高達(dá)133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長(zhǎng),那供應(yīng)過(guò)剩的局面可能得到改善,NAN
- 關(guān)鍵字: DRAMeXchange flash
三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化,2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬(wàn)美元,2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元,年?duì)I收下跌14.6%,2008年平均銷(xiāo)售價(jià)格較2007年下跌63%。 Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬(wàn)美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
Adobe與蘋(píng)果聯(lián)手開(kāi)發(fā)iPhone版Flash軟件
- 日前,Adobe CEO山塔努·納拉延(Shantanu Narayen)在出席達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇時(shí)表示,將與蘋(píng)果合作研發(fā)iPhone手機(jī)的Flash軟件。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,納拉延認(rèn)為與蘋(píng)果的合作是一項(xiàng)高難度的技術(shù)挑戰(zhàn),這需要雙方的協(xié)作。納拉延對(duì)目前雙方所取得的工作進(jìn)展表示非常滿意。 去年3月份,蘋(píng)果創(chuàng)始人史蒂夫·喬布斯(Steve Jobs)曾表示,因?yàn)殡娔X版Flash軟件占用資源過(guò)大,iPhone的處理器和內(nèi)存無(wú)法適應(yīng)。而
- 關(guān)鍵字: Adobe iPhone Flash
嵌入式操作系統(tǒng)自更新機(jī)制的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
- 引言隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用,必不可少的維護(hù)工作變得日益繁重。如移動(dòng)電話在用戶使用過(guò)程中,部...
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 自更新機(jī)制 進(jìn)程 Flash
2008年存儲(chǔ)市場(chǎng)忽上忽下,令人難忘
- 2008年對(duì)于全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要階段,發(fā)生了幾件改變市場(chǎng)的大事: ? 一種高清DVD格式落敗,而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。 ? 固態(tài)存儲(chǔ)作為硬盤(pán)的替代品,地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟(jì)滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死 一年以前,緊接著2008年1月的國(guó)際消費(fèi)電子展會(huì)(CES),華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明,表示將放棄原來(lái)以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計(jì)劃,轉(zhuǎn)而完全采用藍(lán)光標(biāo)準(zhǔn)。 HD DVD陣營(yíng)為此遭到當(dāng)頭一棒,領(lǐng)頭者東芝也不再支持該格
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) HDD SSD flash
解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合I...
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 技術(shù)細(xì)節(jié) 位密度 多晶硅
?nand flash介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條?nand flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)?nand flash的理解,并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)?nand flash的理解,并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473