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半導體產(chǎn)業(yè)既樂觀又擔憂的7個理由
- 盡管最近市場調(diào)研公司VLSI仍不修正半導體業(yè)陰沉的預測， 即09年全球設備市場下降44.2%及半導體市場下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂觀。 根據(jù)與Hutcheson的對話及公司的最新報告， 以下將結(jié)論刊出， 共有4個正面意見及2個負面看法。以下是為什么分析師呈現(xiàn)樂觀或者擔心的原因。 1. 看到回升 7月的周報IC銷售額上升到33億美元， 打破了三周來IC銷售額的陰沉局面， 因為通常7月是典型的弱月份， 所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
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東芝閃存工廠遭雷擊 出貨量下降價格上漲10%
- 據(jù)臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。 內(nèi)存業(yè)者認為，過去記憶卡價格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會調(diào)漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。 業(yè)內(nèi)人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續(xù)上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導致NAND Flas
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三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司
- 據(jù)國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存芯片 MLC
海力士41納米通過認證 切入蘋果供應鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價仍穩(wěn)住陣腳
- 7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現(xiàn)持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數(shù)量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調(diào)機構(gòu)英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。 根據(jù)英鼎
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 記憶卡
臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構(gòu)評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關(guān)鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤
- 英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價格(與一年前推出產(chǎn)品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
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英特爾、美光NAND Flash殺價大反攻 三星買氣清淡
- 隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產(chǎn)品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場活絡度則降低。 英特爾
- 關(guān)鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米
三星電子增加下半年在半導體業(yè)務投資
- 電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產(chǎn)設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。 該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。 三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內(nèi)活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。 該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。 ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側(cè)重于引進更先進的生產(chǎn)技術(shù)，比如采用40納米制程生產(chǎn)DRAM和
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 30納米 NAND
NAND閃存價格波動 破壞SSD市場普及性
- 周一消息 研究機構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。 iSuppli專研行動和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。 多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽
- 全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領(lǐng)導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。 按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。 在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導者,目前已作出46nm DRAM樣品。 究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導者,據(jù)今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM NAND 存儲器
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