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通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 SiC
SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
- 關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2
怎么能使Simulink的仿真速度更快?
- 現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對象也是越來越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候，因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
- 關(guān)鍵字： Simulink 仿真速度 操作系統(tǒng) MOSFET
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