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	sic mosfet
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
            
                                                            
              
                    	
            • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
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            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET    LTC4225    LTC4227                            
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            東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        東芝  MOSFET                          
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            東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計(jì)劃于6月底投入量產(chǎn)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        東芝  MOSFET  電阻                          
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            對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308                          
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            利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
            
                                                            
              
                    	
            • 引言隨著社會經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
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            • 關(guān)鍵字：
                        PowerTrench  MOSFET                          
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            飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計(jì)人員提供交流感應(yīng)電機(jī) (ACIM) 和無刷直流電機(jī)逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機(jī)，包括風(fēng)扇電機(jī)、洗碗機(jī)和各種小型工業(yè)電機(jī)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  SPM                          
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            SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？
            
                                                            
              
                    	
            • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)椋S著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。
　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
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            • 關(guān)鍵字：
                        SiC  GaN                          
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            理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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            • 關(guān)鍵字：
                        凌力爾特  肖特基二極管  MOSFET                          
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            Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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            • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET                          
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            GT推出碳化硅爐新產(chǎn)品線
            
                                                            
              
                    	
            • GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
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            • 關(guān)鍵字：
                        GT  SiC  晶體                          
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            復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長，但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價格走勢追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。
　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%，盡管該市場的各個領(lǐng)域不會同樣強(qiáng)勁。
　　在假日季節(jié)之前的這個時期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時，消費(fèi)電子、汽
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            • 關(guān)鍵字：
                        電子元件  MOSFET                          
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            為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士
            
                                                            
              
                    	
            • 歡迎來到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
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            • 關(guān)鍵字：
                        工作頻率    MOSFET    Pcon                          
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            飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
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            • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  MOSFET  LED                          
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            安森美推出兩款新的MOSFET器件
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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            • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET  鋰離子電池                          
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            Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴(kuò)大為6A～105A。
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            • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  E系列  MOSFET                          
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