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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱IR)近日推出配備IR最新...
- 關(guān)鍵字： 基準(zhǔn)導(dǎo)通 300V功率 MOSFET
基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
- 關(guān)鍵字： SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10
汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢(shì)
- 汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
- 關(guān)鍵字： 汽車應(yīng)用 MOSFET 電機(jī)控制
用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變 - 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器 芯片
MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器-高頻開(kāi)關(guān)電源的理想選擇
- MAX5048C是一個(gè)高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。該器件具...
- 關(guān)鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
- 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
- 關(guān)鍵字： 門極驅(qū)動(dòng)光耦 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立 難分高下
- 進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。 SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng);進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開(kāi)。相對(duì)于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC 半導(dǎo)體
電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
- 關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士 德州儀器
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