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	sic mosfet
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            車用MOSFET：尋求性能與保護(hù)的最佳組合
            
                                                            
              
                    	
            • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  車用  保護(hù)  性能                            
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            IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
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            • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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            技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（二）
            
                                                            
              
                    	
            • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時(shí)，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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            • 關(guān)鍵字：
                        氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED                          
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            技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）
            
                                                            
              
                    	
            • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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            電源設(shè)計(jì)小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
            
                                                            
              
                    	
            • 在電源設(shè)計(jì)小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實(shí)現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動(dòng)電流。在本設(shè)計(jì)小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動(dòng)同整流器并探討何時(shí)需要分
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            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  卓越  解決方案  集成  替代  設(shè)計(jì)  分立  器件                          
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            一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的卓越解決方案
            
                                                            
              
                    	
            • 在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
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            • 關(guān)鍵字：
                        電源設(shè)計(jì)  分立器件  MOSFET                          
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            飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議
            
                                                            
              
                    	
            • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
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            • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  英飛凌  MOSFET                          
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            英飛凌科技推出全新650V CoolMOS  CFDA
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS  CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個(gè)配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS  CFDA尤其適用于混合動(dòng)力汽車和純電動(dòng)汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強(qiáng)度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  MOSFET                          
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            電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  選擇  控制器  開關(guān)  系統(tǒng)  電源                          
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            Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能
            
                                                            
              
                    	
            • 引言對(duì)于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點(diǎn)，因?yàn)樾⌒透咝У碾娫聪到y(tǒng)意味著...
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        Power  Trench  MOSFET                          
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            飛兆與英飛凌簽署汽車級(jí)封裝工藝許可協(xié)議
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導(dǎo)體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進(jìn)汽車級(jí)MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
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            • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  飛兆  MOSFET                          
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            可編程大電流熱插拔控制
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會(huì)中斷原電路板正在進(jìn)行的工作狀態(tài)，并且同時(shí)啟動(dòng)添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當(dāng)電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時(shí)，保護(hù)MOSFET器件。
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        熱插拔  MOSFET                          
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            采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集
            
                                                            
              
                    	
            • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號(hào)采集,人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體積
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            • 關(guān)鍵字：
                        IMEC  SiC  生物電信號(hào)采集                            
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            MOSFET門極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化
            
                                                            
              
                    	
            • 在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電...
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            • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  門極驅(qū)動(dòng)  電壓優(yōu)化                          
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            世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構(gòu)成。

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            • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  半導(dǎo)體  SiC                          
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            sic mosfet介紹
            
      			
            
		      	
            
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
             
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            熱門主題
            
      			
            
      			
            
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