sic mosfet 文章進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車（LEV）、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩
關(guān)鍵字：英飛凌科技汽車應(yīng)用 OptiMOS? 7 MOSFET

使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型

低導(dǎo)通電阻SiC器件在大電流高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性

眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料，因其高擊穿場強(qiáng)、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應(yīng)用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導(dǎo)體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關(guān)器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關(guān)的特點(diǎn)可以在大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標(biāo)，從而推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應(yīng)用范圍示意圖1圖2: 典型應(yīng)用場景對應(yīng)的功率等級(jí)2從技術(shù)上講，
關(guān)鍵字：低導(dǎo)通電阻 SiC 大電流高功率

SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。但是，雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復(fù)雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準(zhǔn)確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時(shí)。今天我們分享一下來自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來重點(diǎn)介紹下SiC 功率器
關(guān)鍵字： SiC 功率器件溝槽結(jié)構(gòu)測量

設(shè)計(jì)基于SiC的電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī)

電動(dòng)汽車（EV）直流快速充電機(jī)繞過安裝在電動(dòng)汽車上的車載充電機(jī)，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機(jī)由一級(jí) AC-DC 和一級(jí) DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時(shí)最大限度縮短充電時(shí)間是直流快速充電機(jī)的主要關(guān)注點(diǎn)。在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí)，必須考慮器件選型、電壓范圍和負(fù)載要求、運(yùn)行成本、溫度、堅(jiān)固性和環(huán)境保護(hù)，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導(dǎo)通損耗更小、漏電流
關(guān)鍵字： SiC 電動(dòng)汽車直流快速充電機(jī) Wolfspeed

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
關(guān)鍵字： SiC MOSFET RSP

解決補(bǔ)能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布

800V車型刷屏，高壓SiC車載應(yīng)用加速普及。實(shí)際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價(jià)格段的標(biāo)配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價(jià)格卷性能戰(zhàn)略推進(jìn)，將進(jìn)一步拉動(dòng)SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺(tái)風(fēng)口◆ 800V架構(gòu)成為電動(dòng)汽車主流電動(dòng)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅(qū)方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預(yù)計(jì)到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費(fèi)者角度看購買電動(dòng)車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
關(guān)鍵字： SiC 逆變器功率模塊

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動(dòng)下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時(shí)兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個(gè)產(chǎn)品系列基于Coo
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC MOSFET

優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定

6月7日，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備獲行業(yè)專家認(rèn)可，成功通過技術(shù)鑒定評(píng)審。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設(shè)備及工藝成果技術(shù)難度大，創(chuàng)新性強(qiáng)，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術(shù)瓶頸，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，經(jīng)濟(jì)效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導(dǎo)電型SiC晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機(jī)型——UKIN
關(guān)鍵字：優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設(shè)備

MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲(chǔ)器等設(shè)備。它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個(gè)規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺(tái)式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開發(fā)成本，延長服務(wù)器的使用壽命
關(guān)鍵字： MOSFET 服務(wù)器電源

PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級(jí)MOSFET系列

PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級(jí)?MOSFET，此系列通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)達(dá)到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
關(guān)鍵字： PANJIT MOSFET

恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導(dǎo)體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺(tái)和SiC功率器件的推廣應(yīng)用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動(dòng)汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時(shí)降低OEM廠商的系統(tǒng)級(jí)成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車電力傳動(dòng)系統(tǒng)的
關(guān)鍵字：恩智浦 SiC 逆變器

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

●? ?意法半導(dǎo)體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車型提高電驅(qū)能效●? ?雙方成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)節(jié)能智能化電動(dòng)汽車發(fā)展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)近日與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌
關(guān)鍵字：吉利汽車 ST SiC 意法半導(dǎo)體

意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議

6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）與吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、高級(jí)駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案。據(jù)數(shù)據(jù)顯
關(guān)鍵字： ST 吉利汽車 SiC

吉利汽車與ST簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型；成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)雙方創(chuàng)新合作

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與全球汽車及新能源汽車龍頭制造商吉利汽車集團(tuán)宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程，深化新能源汽車轉(zhuǎn)型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域的長期合作基礎(chǔ)上，建立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，交流與探索在汽車電子/電氣（E/E）架構(gòu)（如車載信息娛樂、智能座艙系統(tǒng)）、
關(guān)鍵字： SiC ADAS 新能源汽車