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            MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

            • 目前,電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
            • 關(guān)鍵字: 電源  設(shè)計(jì)  簡(jiǎn)化  封裝  芯片  功率  MOSFET  

            中國(guó)新一代汽車(chē)電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢(shì)

            • 如今的汽車(chē)市場(chǎng)正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊,與此同時(shí),提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢(shì)也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車(chē)的發(fā)展,并...
            • 關(guān)鍵字: 智能開(kāi)關(guān)  MOSFET  DC-DC轉(zhuǎn)換器  

            恩智浦推出新型汽車(chē)級(jí)TrenchMOS器件

            • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克:NXPI)日前宣布推出全新汽車(chē)級(jí)功率MOSFET器件系列,該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù),具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車(chē)級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證,成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求),同時(shí)具有極低PPM 水平。
            • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  

            車(chē)用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

            • 工程師在為汽車(chē)電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  車(chē)用  如何提高  能量    

            典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案

            • 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PowerMOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能好、...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動(dòng)  保護(hù)電路  

            精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

            • 電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是,對(duì)于非常小阻值的測(cè)量,我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀,如電線(xiàn),Kelvin方法是非常精確的??梢允褂妙?lèi)似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率,但是所使
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  精確測(cè)量  導(dǎo)通電阻    

            MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

            • 摘要:率場(chǎng)效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過(guò)載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  應(yīng)用  電路  保護(hù)  驅(qū)動(dòng)  MOSFET  

            IR推出緊湊型PowIRaudio模塊

            • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列,適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車(chē)用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個(gè)數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝,提供高效緊湊的解決方案,有助于減少零部件數(shù)量,縮小高達(dá)70% 的電路板尺寸,并能簡(jiǎn)化D類(lèi)放大器設(shè)計(jì)。
            • 關(guān)鍵字: IR  MOSFET  PowIRaudio  

            功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)

            • 鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn),因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車(chē)。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少,隨著世界各國(guó)對(duì)環(huán)保要求越來(lái)越高,鉛酸電池的使用會(huì)越來(lái)越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
            • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì)  保護(hù)  鋰電池  MOSFET  功率  

            飛兆開(kāi)發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

            • 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問(wèn)題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢(shì),飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  P溝道  

            飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊

            • 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能,電源工程師面臨著在較小的線(xiàn)路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊 FDPC8011S,幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  FDPC8011S  N溝道  

            恩智浦推出可實(shí)現(xiàn)高功率LED設(shè)計(jì)靈活性的GreenChip

            •   新型純控制器降壓LED驅(qū)動(dòng)器成本優(yōu)勢(shì)明顯、效率傲視群雄   中國(guó)上海,2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)今天宣布推出SSL2109,該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率非調(diào)光型LED照明應(yīng)用。SSL2109 LED驅(qū)動(dòng)器IC與外部功率開(kāi)關(guān)一同使用,為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設(shè)計(jì)平臺(tái)。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
            • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  

            Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì),在4.5V下導(dǎo)通電阻低至1.35m?,Miller電荷Qgd低至1.8nC,采用PowerPAK? SO-8和1212-8封裝。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

            飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出一款智能高側(cè)開(kāi)關(guān)系列

            • 在現(xiàn)今的汽車(chē)應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負(fù)載,這類(lèi)應(yīng)用包括:白熾燈、電機(jī)控制和加熱器件等?,F(xiàn)在要實(shí)現(xiàn)這一目的,設(shè)計(jì)人員不得不依賴(lài)分立式或機(jī)電式解決方案,或是受制于市場(chǎng)上數(shù)量有限的解決方案。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  F085A  

            Vishay榮獲2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類(lèi)別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  轉(zhuǎn)換器  
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