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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> si mosfet

            MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

            • 概述  MAX5054-MAX5057雙、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器可供出和吸收高達(dá)4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
            • 關(guān)鍵字: MAX5054  MAX5057  MOSFET  驅(qū)動(dòng)器  

            大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

            • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
            • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

            Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

            理解功率 MOSFET 的電流

            • 通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁,列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對(duì)于許多電子工程師來說,他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
            • 關(guān)鍵字: 電流  MOSFET  功率  理解  

            國(guó)際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動(dòng)IC

            •   國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC,適用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的車用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。   AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器具備三個(gè)獨(dú)立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術(shù)使單片式結(jié)構(gòu)堅(jiān)固耐用,而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容,低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應(yīng)電阻來進(jìn)行橋電流模擬反饋的集成接地參考運(yùn)算放大器
            • 關(guān)鍵字: 國(guó)際整流器公司  MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)IC  

            集成高壓MOSFET可實(shí)現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

            • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款 ...
            • 關(guān)鍵字: 集成高壓  MOSFET  PFC  控制器芯片  

            新型MOSFET滿足高速開關(guān)等三大關(guān)鍵性能

            • 現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽能電池”,這兩個(gè)領(lǐng)域都注重環(huán)保理念,需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。 ...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  高速開關(guān)  

            Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%,而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  Si8802DB  

            估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分

            • 在本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  瞬態(tài)溫升  

            Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

            •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù),具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。    ?   與前一代S系列器件相比,新的
            • 關(guān)鍵字: Vishay Siliconix  MOSFET  

            滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET

            • 近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設(shè)計(jì)中采用...
            • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  MOSFET  

            Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

            • 2011 年 10 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

            只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動(dòng)器

            • 閉鎖繼電器在給線圈一個(gè)短電壓脈沖時(shí),會(huì)改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來保持狀態(tài)...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  繼電器  驅(qū)動(dòng)器  

            基于TLE6210和L9349設(shè)計(jì)的ABS驅(qū)動(dòng)電路

            • ABS作為如今汽車上必備的安全電子設(shè)備,其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對(duì)...
            • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)電路  ABSTLE6210  MOSFET  

            兩種常見的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

            • 由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示),驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下:  A.當(dāng)HS為高電平時(shí),Q7、Q4導(dǎo)通,Q6關(guān)閉,電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極,使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間,Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
            • 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計(jì)  驅(qū)動(dòng)  MOSFET  常見  
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