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如何計(jì)算高功率電源中MOSFET的功耗
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率MOSFET原理及其應(yīng)用介紹
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET 美國國家半導(dǎo)體
飛兆推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體 嵌入式系統(tǒng)
Fairchild推出互補(bǔ)型40V MOSFET改進(jìn)LCD設(shè)計(jì)
- 飛兆半導(dǎo)體推出互補(bǔ)型40V MOSFET器件FDD8424H，采用雙DPAK封裝，提供業(yè)界領(lǐng)先的散熱能力，有助于提高系統(tǒng)可靠性、減小線路板空間及降低系統(tǒng)總體成本。FDD8424H專為半橋和全橋逆變器設(shè)計(jì)而優(yōu)化，是液晶電視、液晶顯示器所用背光單元 (BLU) 以及電機(jī)驅(qū)動和電燈驅(qū)動的理想選擇。與采用8引腳直插和雙SOIC (SO8) 封裝的替代解決方案相比，雙DPAK封裝FDD8424H的熱阻抗分別是其五分之一及十分之一。此外，F(xiàn)DD8424H在單一封裝中集
- 關(guān)鍵字： Fairchild LCD設(shè)計(jì) MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 液晶顯示 LCD
Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯
- Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。 該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時(shí)間驅(qū)動1,000pF的負(fù)載。
- 關(guān)鍵字： IC MOSFET Vishayn 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程
- 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運(yùn)用這一特長，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
- 關(guān)鍵字： OKI SI-CMOS 傳感器 電源技術(shù) 模擬技術(shù) IC 制造制程
ROHM株式會社小型大功率封裝MOSFET MPT6
- 4月20日訊,半導(dǎo)體制造商ROHM株式會社（總社設(shè)在京都市）最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的MPT6 雙元件系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，是低導(dǎo)通電阻的元器件。這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND) CO., LTD. （
- 關(guān)鍵字： MOSFET MPT6 ROHM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 封裝
ROHM開發(fā)小型大功率封裝MOSFET產(chǎn)品系列
- ROHM株式會社最近開發(fā)出適合汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)、便攜式DVD機(jī)、筆記本電腦、游戲機(jī)等小型、薄型機(jī)器的電源開關(guān)和電動機(jī)驅(qū)動器使用的「MPT6 Dual（2元件）」型系列產(chǎn)品，這種產(chǎn)品采用獨(dú)創(chuàng)的小型大功率封裝，低導(dǎo)通電阻的元器件。 這種產(chǎn)品從2007年4月開始逐步供應(yīng)樣品；預(yù)定從2007年8月開始以月產(chǎn)300萬個的規(guī)模大量生產(chǎn)。生產(chǎn)過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進(jìn)行；包裝工序由ROHM INTEGRATED SYSTEMS (THAILAND)
- 關(guān)鍵字： MOSFET ROHM 消費(fèi)電子 封裝 消費(fèi)電子
帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩(wěn)壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內(nèi)進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調(diào)節(jié)，并且總輸出電流高達(dá)6A。2個PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨(dú)特電源模塊架構(gòu)允許對6個電流高達(dá)1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個輸出配置選項(xiàng)之一。一個主電源模塊與各個同步轉(zhuǎn)換器通道相關(guān)聯(lián)。4個浮動從電源模塊允許用戶將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩(wěn)壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護(hù)MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現(xiàn)智能的
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護(hù)MOSFET，它可通過獨(dú)立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車和工業(yè)性高壓系統(tǒng)的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開關(guān)負(fù)載，如電燈、電機(jī)及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過熱、過流和過壓故障的保護(hù)功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 封裝
CISCO_服務(wù)器設(shè)計(jì)中的EMI和SI問題
- 統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)和布線 (以減小時(shí)鐘傾斜(Skew)導(dǎo)致的時(shí)鐘余裕 (timing margin) 受損) 時(shí)鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù)，在驅(qū)動器端的時(shí)鐘線設(shè)定阻抗為Z0為40Ω，然后每條線扇出成一對線，每條的Z0基本加倍，使信號反射減至最小。時(shí)鐘傾斜(timing skew)的問題是通過仿真解決，并將走線布到同一層上，管腳上時(shí)序信息是經(jīng)過測試驗(yàn)證過的?！ ?yōu)化電源層結(jié)構(gòu)，防止電源的電磁輻射影響信號層 (減小耦合噪聲，△I噪聲，模式轉(zhuǎn)換噪聲mode conversion noise) 在開始
- 關(guān)鍵字： CISCO EMI SI 服務(wù)器
飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計(jì)，可為等離子體顯示板 (PDP) 應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導(dǎo)體專利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場上同類型器件提供最低的導(dǎo)通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機(jī) 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點(diǎn)。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計(jì)了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
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