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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> pc-dram

            馮丹:憶阻器RRAM最有希望取代DRAM

            •   日前,一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行,“數(shù)據(jù)中流擊水,浪遏飛舟”是今年大會主題,論道存儲未來,讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值,業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀,干貨滿滿。下午第三分論壇,中國計(jì)算機(jī)協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓,就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示,當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)
            • 關(guān)鍵字: RRAM  DRAM  

            DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

            •   DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢最久的一次。   業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。   手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為,有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            三星260億美元的豪賭:想壟斷DRAM和NAND閃存市場

            • 三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山。它計(jì)劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算提到1.5倍,提高至260億美元。
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            喜大普奔!內(nèi)存價(jià)格崩盤:一個月暴降30%

            • 最近一個多月的時間內(nèi),尤其是雙11之后,內(nèi)存價(jià)格開始普遍下滑,而且幅度相當(dāng)夸張,最高甚至接近30%。
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

            三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?

            •   明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。   韓媒BusinessKorea 5日報(bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時,明年全球NAND需求提高36.7
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?

            •   明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。   韓媒BusinessKorea 5日報(bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時,明年全球NAND需求提高36.7
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

            Yole:供需失衡推動存儲芯片價(jià)格上漲,市場年均增長9%

            •   存儲器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個存儲器市場的復(fù)合年增長率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動存儲器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤!   存儲器的需求來自各行各業(yè),特別是移動和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲器容量將增加
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

            紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

            •   紫光國芯日前在互動平臺表示,公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力,公司會考慮與其合作。前不久,針對“存儲芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動問答時表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場上DRAM的代工廠很少,特別是在市場需求旺盛的時期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)能不好保證
            • 關(guān)鍵字: 紫光國芯  DRAM  

            全球第四次DRAM戰(zhàn)爭:中韓定鼎之戰(zhàn)

            • 中國廠商在國際市場上已經(jīng)引起三星與海力士的警惕,而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進(jìn)行著試探。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  紫光  

            紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作

            •   紫光國芯26日在互動平臺表示,公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力,公司會考慮與其合作。   前不久,針對“存儲芯片行業(yè)增長很快,為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問,紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機(jī)構(gòu)進(jìn)行互動問答時表示,西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),公司自身沒有制造環(huán)節(jié),但市場上DRAM的代工廠很少,特別是在市場需求旺盛的時期,公司由于規(guī)模較小,產(chǎn)
            • 關(guān)鍵字: 紫光  DRAM  

            內(nèi)存價(jià)格一年漲三倍:外企壟斷流通價(jià)格倒掛

            • 在此輪內(nèi)存漲價(jià)行情中,由于不少企業(yè)加大了建倉囤貨的力度,導(dǎo)致在內(nèi)存流通環(huán)節(jié)甚至出現(xiàn)了價(jià)格倒掛的現(xiàn)象。
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

            紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場

            •   近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示,前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇,整體毛利率下降,導(dǎo)致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預(yù)期,對全年業(yè)績估計(jì)相對樂觀,公司積極開拓集成電路業(yè)務(wù)市場,營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預(yù)計(jì),公司2017年全年凈利潤為2.35億元~3.36億元,上年同期為3.36億元,同比變動-30%~0%。前三季度,紫光國芯實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元,同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元,同比下降22.912%。紫光國芯表示,公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段,已投入自有
            • 關(guān)鍵字: 紫光國芯  DRAM  

            數(shù)據(jù)中心需求熱,SK海力士第三季營收大幅增長30.1%

            •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強(qiáng)勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下,并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求,Server DRAM供不應(yīng)求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(jià)(Average Selling Price)墊高帶動,三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。   DRAMeXchange分析師劉家豪指出,進(jìn)入第四季,在服務(wù)器出貨動能不減的情況下,整體Server DRAM供不應(yīng)求的狀況將更為明顯,Server DRAM第四
            • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

            圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

            • 中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下

            •   DRAM漲勢不斷,后遺癥逐步顯現(xiàn),渠道商表示,因存儲器漲幅過大,下游應(yīng)用端,尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場,不堪侵蝕獲利,已開始朝降低搭載量抵制,加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出,研判明年下半年,DRAM漲勢將止步,價(jià)格有下調(diào)壓力。   調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示,三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃,都為未來DRAM市場投下新變數(shù),明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%,但成長已低于今年的67.8%,到2019年,在新產(chǎn)能增加,重陷價(jià)格戰(zhàn)下,年產(chǎn)值將衰選25.9%,且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  
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