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晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)
- 聯(lián)電和兩名員工遭到內存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密,并遭到臺中地檢署起訴,共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構陷入罪,但強調DRAM計劃不變,將于明年第4季完成第一階段技術開發(fā)。 聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。 簡山杰表示,對于司法中的案件原本不應多言,但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」,高度懷疑「帶槍投靠」是假的,可能「構陷入罪」才是真。 簡山杰質疑,主要涉案員工夫婦本來都在美光上班,其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說,遭檢方搜索以后,妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后,妻子就復
- 關鍵字: 晉華 DRAM
將DRAM技術根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
- 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術帶到聯(lián)電任職,不只是員工個人被起訴,聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”,因此視為共犯。 我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術的案子。第一,臺灣半導體產業(yè)在這個合作案當中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術的過程中,有無竊取美光技術?;第三,如果企業(yè)沒有教唆員工竊密,只因為“未積極防范&rdqu
- 關鍵字: DRAM 聯(lián)電
2018年DRAM產業(yè)供給年成長預估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議,根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守,意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標,預估2018年DRAM產業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點,加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關鍵字: DRAM
2018年DRAM產業(yè)供給年成長預估僅19.6%,延續(xù)供給吃緊走勢
- 隨著時序已近2017年第四季,三大DRAM廠已陸續(xù)在下半年召開針對明年產能規(guī)劃的年度戰(zhàn)略會議,根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守,意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩,除了欲將價格維持在今年下半年的水平,持續(xù)且穩(wěn)定的獲利也將是明年首要目標,預估2018年DRAM產業(yè)的供給年成長率為19.6%,維持在近年來的低點,加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%,供給吃緊的態(tài)勢將延續(xù)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳
- 關鍵字: DRAM 美光
臺專家:中國半導體發(fā)展模式的探討
- 大陸半導體業(yè)發(fā)展進程在歷經(jīng)萌芽期、自力更生的初創(chuàng)時期、改革開放前的起步探索時期、改革開放初期的開發(fā)引進時期、全面布局的重點建設時期、高速發(fā)展期等階段之后,2014年迄今持續(xù)處于黃金發(fā)展期,當中2014年6月國務院發(fā)布的《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》、國家集成電路大基金,更成為中國半導體業(yè)發(fā)展最大的轉捩點。 爾后不論是中國制造2025、十三五規(guī)劃等新世紀發(fā)展戰(zhàn)略的帶動,或是2017年1月工業(yè)和資訊化部、國家發(fā)改委正式宣布《資訊產業(yè)發(fā)展指南》,確定集成電路等九大資訊產業(yè)將是
- 關鍵字: 半導體 DRAM
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