- 中國半導體業(yè)要實現制造DRAM夢己經初現曙光，近期由臺灣咨詢時報報道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業(yè)界的廣泛興趣。
一直低調行事的合肥“睿力”DRAM項目，由前應用材料公司資深副總裁David王寧國領軍。
匯總消息，“睿力”做DRAM，采用19納米制程工藝。該項目總占地面積約1582畝，一期總投資額約80億美元，一期的兩層廠房預計2017年三季度完工。目前已開始下設備的PO訂單，計劃今年10月設備開始安裝，有望2
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DRAM 存儲器
- 現階段，由于我國發(fā)展半導體行業(yè)的時機與全球不同步，并釆用國家資金為主來推動，遭到了西方部分從業(yè)者的質疑。再加上近期投資越來越大更是進一步引起了美國、韓國、日本等先進國家的關注。
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半導體 DRAM
- 多數手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、
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美光 DRAM
- 隨著應用不斷擴大，及系統產品內建容量持續(xù)擴增，今年來半導體硅晶圓、磊晶與內存等多項產品市況熱絡，在供應持續(xù)吃緊下，各項產品下半年價格依然看漲。
南亞科總經理李培瑛說，第2季DRAM市場狀況穩(wěn)定，下半年需求將比上半年好，對第3季并不悲觀。 聯合報系數據照
需求增加，供應端產能卻未同步增加，導致半導體硅晶圓、磊晶、動態(tài)隨機存取內存(DRAM)、儲存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現罕見同時供應吃緊的情況。
隨著時序逐漸步入傳統旺季，加上短時間新產能
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存儲器 DRAM
- 多年來，個人計算機(PC)一直是半導體最主要的應用市場，但由于近年來PC市場出貨量成長乏力，相關半導體市場的成長速度也跟著牛步化。 據IC Insights最新報告指出，PC應用將在2017年失去半導體最大應用出?？诘膶氉?手機則可望正式超越PC，成為芯片產品最大的應用市場。
整體來說，受惠于DRAM與閃存價格居高不下，不管是PC或智能型手機的半導體市場規(guī)模，未來幾年都將呈現成長格局。 但由于PC出貨量連年緩步下滑，短期間內不見轉機，因此手機市場雖然也遇到成長高原期，手機芯片銷售額仍可望拉開與
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半導體 DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于內存供應吃緊態(tài)勢尚未改變，今年第一季合約價上揚近四成，第二季合約價更進一步上揚約一成水位;放眼第三季，出貨至一線廠的32GB服務器模組價格將來到260美元大關，二線廠更會高于此價格水位，使得整體第三季價格將會持續(xù)季增3%~8%的幅度。
DRAMeXchange分析師劉家豪指出，受到服務器內存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年單機容量上的提升與
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服務器 DRAM
- 差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設計，但大家對CK#（CKN）的作用認識很少，很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘，其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準的作用。
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DDR 差分時鐘 DRAM DDR2
- 多數手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標準版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。
半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據，而NAND Flash市場幾乎全
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美光 DRAM
- 量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。
現在，微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。
半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統，為未來的量子計算機服務。
Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統的容量和運算效率，并且降低功耗。
同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統在
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微軟 DRAM
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產業(yè)營收表現再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于去年第四季嚴重供不應求，多數PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價再度上漲超過三成，亦帶動其他內存類別同步上揚，如服務器內存在第一季的價格上揚也相當可觀，移動式內存價格也有近一成的漲幅。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產能增加的效應最快在
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DRAM
- 據外媒報道，存儲芯片市場上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。
他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。
據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。
整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。
他指出，建構數據中心的廠商「重視的是系統的表現而
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DRAM Flash
- 全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠營運成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。
硅晶圓已成為半導體產業(yè)的關鍵物資，過去10年來硅晶圓產能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠生產線運作，尤其是12吋規(guī)
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晶圓 DRAM
- 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現，傳統的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
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內存 DRAM
- 據外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉跌，決定調降內存大廠美光評等。
巴倫周刊8日報導，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。
Delaney強調，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現，DRAM現貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產業(yè)人士表示，NAND價
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三星 DRAM
- 三星挾帶存儲器產業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產業(yè)、物聯網及智能汽車產業(yè)興起，讓原先并未擴產的存儲器產業(yè)成為炙手可熱的領域，也使得三星更加壯大。
三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導體制造事業(yè)可望躍居產業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增，在制程轉換及產能已數年未擴充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。
從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產出晶圓的僅有三星、
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英特爾 DRAM
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