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      EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nano nor flash

      “BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記

      • 2012年,隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā),有一種半導(dǎo)體器件會(huì)受到產(chǎn)業(yè)的萬(wàn)眾矚目----這就是Nand Flash,Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場(chǎng)增長(zhǎng)18%! 年初以來(lái),NAND Flash大廠(chǎng)英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計(jì)劃,各大廠(chǎng)工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm,三星西安建廠(chǎng)發(fā)力10nm Nand Flash!可以說(shuō),一場(chǎng)圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲(chǔ)大變革正在進(jìn)行,Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來(lái)哪些機(jī)遇?智能手機(jī)、平板電腦供應(yīng)商如何看待
      • 關(guān)鍵字: BIWIN  Nand Flash  

      基于Flash存儲(chǔ)器的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

      • 摘要:針對(duì)Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn),設(shè)計(jì)了一種適合開(kāi)源實(shí)時(shí)操作的嵌入式文件系統(tǒng)。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)依據(jù)日志文件系...
      • 關(guān)鍵字: Flash  存儲(chǔ)器  嵌入式  文件系統(tǒng)  

      NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

      • 什么是SLC?SLC英文全稱(chēng)(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓,
      • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  MLC  SLC    

      FPGA中SPI Flash存儲(chǔ)器的復(fù)用編程方法的實(shí)現(xiàn)

      • SPI(Serial Peripheral Interface,串行外圍設(shè)備接口)是一種高速、全雙工、同步的通信總線(xiàn),在芯片的引腳上只占 ...
      • 關(guān)鍵字: FPGA  SPI  Flash  存儲(chǔ)器  復(fù)用編程  

      存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國(guó)制造帶來(lái)了什么機(jī)遇?

      • 縱觀(guān)半導(dǎo)體發(fā)展歷史,一種新興技術(shù)的出現(xiàn),影響的不只是個(gè)別公司的興衰,更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型,新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器,也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源,當(dāng)年的光盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)興起,就帶動(dòng)了中國(guó)整體光盤(pán)機(jī)產(chǎn)業(yè),現(xiàn)在,我們又將迎來(lái)新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會(huì)聊做分析。
      • 關(guān)鍵字: 泰勝微  存儲(chǔ)  NAND FLASH   

      串行FLASH存儲(chǔ)器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析

      • LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長(zhǎng)、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn),已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
      • 關(guān)鍵字: 顯示系統(tǒng)  應(yīng)用系統(tǒng)  分析  LED  小型  FLASH  存儲(chǔ)器  串行  

      VxWorks從Flash BOOT的實(shí)現(xiàn)方法

      •   引言  美國(guó)WindRiver公司的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)VxWorks和美國(guó)Motorola 公司MPC860系列處理器已經(jīng)廣泛的應(yīng) ...
      • 關(guān)鍵字: VxWorks  Flash  BOOT  

      2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%

      •   據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲(chǔ)報(bào)告,由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)糟糕和泰國(guó)洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降,2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。   2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(zhǎng),從11.6億美元上升到11.7億美元,如圖2所示。   第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因,是10月泰國(guó)發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國(guó)的硬盤(pán)工廠(chǎng),造成硬盤(pán)短缺,導(dǎo)致PC銷(xiāo)量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括:在全球經(jīng)濟(jì)黯
      • 關(guān)鍵字: NOR  NAND  

      Flash單片機(jī)自編程技術(shù)介紹

      • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲(chǔ)器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運(yùn)行程序代碼的存儲(chǔ)區(qū)與待編程的存儲(chǔ)區(qū)不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲(chǔ)器模塊
      • 關(guān)鍵字: 介紹  技術(shù)  編程  單片機(jī)  Flash  

      利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

      • 利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
        嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高,開(kāi)發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù),以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用周期,
      • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  遠(yuǎn)程  更新  嵌入式  實(shí)現(xiàn)  NAND  Flash  利用  

      基于MCU內(nèi)部Flash的在線(xiàn)仿真器設(shè)計(jì)方案

      • 基于MCU內(nèi)部Flash的在線(xiàn)仿真器設(shè)計(jì)方案,摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法,并完成了設(shè)計(jì)和仿真。由于市場(chǎng)對(duì)MCU功能的要求總是不斷變化和升級(jí),MCU應(yīng)用的領(lǐng)域也不斷擴(kuò)展,因此往往需要對(duì)最初的設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相
      • 關(guān)鍵字: 仿真器  設(shè)計(jì)  方案  在線(xiàn)  Flash  MCU  內(nèi)部  基于  

      一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線(xiàn)仿真器設(shè)計(jì)方法

      Flash存儲(chǔ)器Am29F040結(jié)構(gòu)分析

      •  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開(kāi)機(jī)后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過(guò)程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。Am29F040是采
      • 關(guān)鍵字: Flash  F040  040  29F    

      基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

      • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn),已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主 要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
      • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  管理  TMS320F28x  實(shí)現(xiàn)  Flash  Nand  磨損  均衡  思想  

      并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用

      • 并行NOR Flash在SOPC開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用,摘要 討論Intel STrataFlash 3V Memory系列的JS28F128J3D75并行NOR flash在基于Xilinx MicroBlaze的SOPC開(kāi)發(fā)中的4種不同用途。J3D Flash可以用于存儲(chǔ)FPGA配置比特流、可引導(dǎo)的軟處理器代碼、可直接執(zhí)行的軟處理器代碼
      • 關(guān)鍵字: 開(kāi)發(fā)  應(yīng)用  SOPC  Flash  NOR  并行  
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      nano nor flash介紹

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