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            EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nano nor flash

            用CPLD和Flash實(shí)現(xiàn)FPGA配置

            • 摘要:FPGA可以通過串行接口進(jìn)行配置。本文對(duì)傳統(tǒng)的配置方法進(jìn)行了研究,并從更新配置文件的方法入手,提出了利用處理機(jī)通過網(wǎng)絡(luò)更新的方法,給出了一個(gè)用CPLD和Flash對(duì)FPGA進(jìn)行配置的應(yīng)用實(shí)例。
              關(guān)鍵詞:現(xiàn)場(chǎng)可編程
            • 關(guān)鍵字: Flash  CPLD  FPGA    

            NOR閃存芯片廠商從價(jià)格戰(zhàn)轉(zhuǎn)為制程戰(zhàn)

            •   隨著NOR閃存市場(chǎng)供需平衡態(tài)勢(shì)的逐步轉(zhuǎn)好,主要的幾家NOR閃存廠商也已經(jīng)將重心從價(jià)格戰(zhàn)轉(zhuǎn)移到了提升產(chǎn)品制程等級(jí)方面。NOR閃存主要廠商之一的 Spansion擺脫了去年五月份的破產(chǎn)重組風(fēng)波,他們計(jì)劃今年采用65nm制程工藝生產(chǎn)自己的產(chǎn)品,并預(yù)計(jì)今年自己的這種新閃存銷量會(huì)有所增長(zhǎng),預(yù)計(jì)今年底其65nm制程產(chǎn)品的營(yíng)收將占總營(yíng)收的25%左右。他們最近將其GL-S系列NOR閃存產(chǎn)品的市場(chǎng)范圍拓寬到了包括汽車,消費(fèi)電子以及游戲機(jī)用的嵌入 式領(lǐng)域,該系列NOR閃存產(chǎn)品就是使用65nm制程技術(shù)制造。
            • 關(guān)鍵字: Spansion  NOR  

            英特爾與美光科技關(guān)系緊張

            •   隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。   這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對(duì)IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭(zhēng)議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫-阿普爾頓(Steven Appleton)指責(zé)英特爾沒有為升級(jí)新加坡的這個(gè)工廠提供必要的資金。  
            • 關(guān)鍵字: 美光  Flash  

            傳英特爾、美光科技的合資企業(yè)將解體

            •   12月31日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。   這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對(duì)IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭(zhēng)議。美光科技首席執(zhí)行官史蒂夫·阿普爾頓(Steven Appleton)指責(zé)英特爾沒有為升級(jí)新加坡的這個(gè)工廠提供必要的資金。  
            • 關(guān)鍵字: 美光科技  Flash  

            英飛凌推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)

            •   英飛凌科技股份公司近日在法國(guó)巴黎“智能卡暨身份識(shí)別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH? 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù),英飛凌成為全球首家可將靈活可靠的閃存與出類拔萃的非接觸式性能有機(jī)結(jié)合的安全產(chǎn)品供應(yīng)商。
            • 關(guān)鍵字: 英飛凌  FLASH  

            串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案

            • 串行Flash存儲(chǔ)器的編程解決方案,串行Flash存儲(chǔ)器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數(shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn),在IC卡和便攜式智能檢測(cè)儀表中廣泛的應(yīng)用。本文將介 紹一種通過51系列單片機(jī)的串行口與AT45d041芯片通訊的方法,此方法不僅編程簡(jiǎn)單,且運(yùn)行
            • 關(guān)鍵字: 解決方案  編程  存儲(chǔ)器  Flash  串行  

            基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫

            • 基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫,1 引言

              在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常要使用片外存儲(chǔ)器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù),如常量、原始數(shù)據(jù)庫(kù)等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中,從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
            • 關(guān)鍵字: 方式  實(shí)現(xiàn)  FLASH  擦寫  映射  地址  DSP  嵌入式  系統(tǒng)  通過  

            基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)

            • 基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì),Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA,即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分,解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來的諸多問題,降低了PCB板的制作難度,縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
            • 關(guān)鍵字: 心電  監(jiān)控  應(yīng)用  設(shè)計(jì)  FPGA  混合  Flash  構(gòu)架  模數(shù)  基于  

            Flash單片機(jī)自編程技術(shù)

            • Flash的可自編程性(Self-Programmability)是指,用Flash存儲(chǔ)器中的駐留軟件或程序?qū)lash存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除/編程,但是,要求運(yùn)行程序代碼的存儲(chǔ)區(qū)與待編程的存儲(chǔ)區(qū)不在同一模塊中。因此,只有一個(gè)片上Flash存儲(chǔ)器模塊
            • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  編程  單片機(jī)  Flash  

            C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù)

            • C6201/C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對(duì)實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號(hào)處理器,由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn),非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器,屬于EEPROM器件,與其它的
            • 關(guān)鍵字: MBM29LV800BA  接口  技術(shù)  存儲(chǔ)器  FLASH  C6701  DSP  處理器  

            Flash越來越受到支持

            •   根據(jù)Ovum的分析,對(duì)於Apple是否要扭轉(zhuǎn)他對(duì)Adobe Flash的禁令,Apple將面臨越來越大的壓力,因?yàn)樵絹碓蕉嘀腔坌褪謾C(jī)平臺(tái)支援這項(xiàng)技術(shù)。   
            • 關(guān)鍵字: Apple  Flash  

            基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)

            用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

            •   O 引言  Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,它在掉電條件下仍然能夠長(zhǎng)期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn),近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
            • 關(guān)鍵字: 芯片  設(shè)計(jì)  控制  flash  SD  NAND  用于  

            Spansion發(fā)布業(yè)內(nèi)首款2Gb容量NOR型閃存

            •   相比NAND閃存早已進(jìn)入GB級(jí)別的,閃存的另一門類:NOR型閃存的容量還在MB級(jí)別徘徊。今年早些時(shí)候擺脫破產(chǎn)陰云的Spansion公司今天就宣布,其全球首款2Gb容量NOR型閃存已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。相比NAND閃存主要在數(shù)碼設(shè)備中充當(dāng)“硬盤”,容量小速度快的NOR型閃存則主要擔(dān)當(dāng)“內(nèi)存”的作用。Spansion就表示,新的GL-S NOR型閃存主要針對(duì)用戶界面從2D向3D化轉(zhuǎn)變的消費(fèi)、娛樂設(shè)備對(duì)大容量NOR型閃存以及高速隨機(jī)讀取性能的要求。
            • 關(guān)鍵字: Spansion  NOR  
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            nano nor flash介紹

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