nano nor flash 文章進(jìn)入nano nor flash技術(shù)社區(qū)

美光宣布推出車用高密度NOR閃存裝置

　　美光科技(Micron Technology, Inc. )今日宣布推出面向汽車應(yīng)用的高密度 Axcell? NOR 閃存裝置，強(qiáng)化其在汽車市場(chǎng)廣泛的產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的技術(shù)。該裝置采用最先進(jìn)的NOR 閃存工藝技術(shù)，為信息娛樂(lè)制造商、車內(nèi)電腦和其他汽車電子產(chǎn)品提供最高容量的存儲(chǔ)解決方案。　　
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測(cè)試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級(jí)和頁(yè)級(jí)兩級(jí)地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對(duì)flash的分區(qū)方法。
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MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢(shì)

　　因應(yīng)MCU成長(zhǎng)快速及程序數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計(jì)成為主流趨勢(shì)，MCU大廠也紛紛以購(gòu)并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來(lái)的技術(shù)變革。　　
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飛索轉(zhuǎn)型求生存　鎖定嵌入式存儲(chǔ)器

　　NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護(hù)后，積極進(jìn)行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整，除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外，也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NOR Flash領(lǐng)域，這部分一直是飛索最擅長(zhǎng)同時(shí)也是成長(zhǎng)性最高的一塊市場(chǎng)，包括工業(yè)領(lǐng)域、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)等市場(chǎng)，未來(lái)內(nèi)嵌式NOR Flash產(chǎn)品的成長(zhǎng)性相當(dāng)強(qiáng)勁。　　飛索表示，除了已耕耘20年的車用NOR Flash產(chǎn)品線外，飛索也會(huì)把大量資源放在內(nèi)嵌式產(chǎn)品上，這會(huì)是未
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基于FLASH的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

基于FLASH的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì),1 引言

FLASH（閃速存儲(chǔ)器）作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
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飛索宣示車用NOR Flash主權(quán) 與Freescale攜手進(jìn)軍儀表板市場(chǎng)

　　NOR Flash大廠飛索(Spansion)在車用NOR Flash市場(chǎng)上積極宣示主權(quán)，日前宣布與飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)合作開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)(memory subsystem)，為汽車業(yè)帶來(lái)兼具成本效益和高可靠性能的新一代儀表板，飛索的Multi- I/O SPI產(chǎn)品包括32Mb、64Mb和128Mb容量已通過(guò)飛思卡爾的認(rèn)證，已開(kāi)始出貨中，且多家汽車代工制造廠已開(kāi)始進(jìn)行數(shù)碼顯示的設(shè)計(jì)。　　飛索表示，旗下MirrorBitR SPI的Multi-l/O系列
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TMS320C6712的外部?jī)?nèi)存自引導(dǎo)功能的實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字：引導(dǎo) FLASH ROM 中斷向量表內(nèi)存自引導(dǎo)

旺宏聯(lián)貸180億元入袋為12吋廠擴(kuò)產(chǎn)準(zhǔn)備

　　NOR Flash大廠旺宏順利募資順利，成功獲得新臺(tái)幣180億元聯(lián)貸案，由于大客戶任天堂的3D新款游戲機(jī)即將上市，旺宏的12吋晶圓廠將加緊腳步，在2011年進(jìn)入量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2010、2011的資本支出共達(dá)10億美元，這次聯(lián)貸案成功，也順利充實(shí)擴(kuò)廠的資金來(lái)源;此外，受惠近期日?qǐng)A升值，旺宏將是最直接的受惠者。　　旺宏董事長(zhǎng)吳敏求表示，目前旺宏手上現(xiàn)金水位還有300億元，為了擴(kuò)建12吋晶圓廠的財(cái)務(wù)規(guī)劃需求，正式與15家銀行辦理聯(lián)貸案，共募得180億元，2011年12吋晶圓廠將可順利步入量產(chǎn)，初期規(guī)劃年底前
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分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長(zhǎng)

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash跌價(jià)深　上游大廠開(kāi)始對(duì)模塊廠讓步

　　NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫(kù)存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠開(kāi)始回補(bǔ)一些庫(kù)存，不過(guò)，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。　　近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國(guó)市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
關(guān)鍵字：三星電子 NAND Flash

分析稱臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長(zhǎng)

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
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臺(tái)系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報(bào)告指出，臺(tái)系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRAM廠之冠。　　
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NAND Flash市況兩極　靜待8月底補(bǔ)貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫(kù)存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
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采用外接Flash存儲(chǔ)器件對(duì)SOPC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的實(shí)現(xiàn)

采用外接Flash存儲(chǔ)器件對(duì)SOPC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的實(shí)現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來(lái)保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問(wèn)題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對(duì)FPGA進(jìn)行配置。
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 開(kāi)發(fā) 實(shí)現(xiàn) SOPC 器件 Flash 存儲(chǔ) 采用