nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)
存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇？
- 縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源，當(dāng)年的光盤存儲(chǔ)技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會(huì)聊做分析。
- 關(guān)鍵字： 泰勝微 存儲(chǔ) NAND FLASH
串行FLASH存儲(chǔ)器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析
- LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長(zhǎng)、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
- 關(guān)鍵字： 顯示系統(tǒng) 應(yīng)用系統(tǒng) 分析 LED 小型 FLASH 存儲(chǔ)器 串行
TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化
- TDK株式會(huì)社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
- 關(guān)鍵字： TDK NAND
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： NAND 晶圓
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲(chǔ)報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。 2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(zhǎng)，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
- 關(guān)鍵字： NOR NAND
蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營(yíng)收比重略減
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約減少5%，DRAM營(yíng)收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營(yíng)收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)收比重亦續(xù)降至34.6%。 反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營(yíng)收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新
- 利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用周期， - 關(guān)鍵字： 系統(tǒng) 遠(yuǎn)程 更新 嵌入式 實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用
固態(tài)硬盤每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著Intel Ivy Bridge處
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤 NAND
一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 ...
- 關(guān)鍵字： 微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM
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