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            匯聚中國移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠商 第二屆閃迪年度客戶研討會(huì)圓滿舉行

            •   全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布,來自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠商本周齊聚中國深圳,參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行,囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表),共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
            • 關(guān)鍵字: 閃迪  智能手機(jī)  NAND  

            終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長

            •   TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀察的重
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  穿戴性裝置  

            基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

            •   摘要:本文以ARM7內(nèi)核的MCU LPC2458在片外FLASH上運(yùn)行程序時(shí),采用SWI軟中斷的方法實(shí)現(xiàn)同時(shí)寫片外FLASH的例子,詳細(xì)講述ARM7內(nèi)核的MCU如何設(shè)計(jì)SWI軟中斷程序的流程、方法和應(yīng)用原理。   1 背景描述   筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
            • 關(guān)鍵字: ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  

            第二季NAND Flash品牌廠商分析與營收排行

            • 今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達(dá)76.49億美元,季成長5.6%,隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季,仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
            • 關(guān)鍵字: Intel  NAND  

            三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

            •   全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。   市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè),NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB,遠(yuǎn)低于去年的0.71美元,預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元,其間年復(fù)合成長率為負(fù)的28%。   NANDFlash產(chǎn)出過多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因,若以1GB等量單位計(jì)算,IHSiSuppl估計(jì),2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
            • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND   

            上海海爾:向通用MCU進(jìn)發(fā)

            •   今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機(jī)產(chǎn)品,有其自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)內(nèi)核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設(shè)計(jì)提供了多樣選擇。   專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么?   處于從專用向通用MCU升級(jí)的開端   MCU(單片機(jī),微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機(jī),而日本、
            • 關(guān)鍵字: 海爾  MCU  Flash  201408  

            基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

            • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
            • 關(guān)鍵字: LVDS  FPGA  Flash  

            Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲

            •   并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計(jì)者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗(yàn)和性能等方面的過程中,一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運(yùn)行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線,到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī),嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運(yùn)作,還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求,必須做出得失權(quán)衡,就必須記錄下這一信息,并在設(shè)計(jì)過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費(fèi)、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中,
            • 關(guān)鍵字: Spansion  NAND  FL1-K  

            Marvell推出最新一代SATA SSD控制器,憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

            •   全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)今日宣布,推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù),使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本,功耗更低,并提供無與倫比的性能?! arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
            • 關(guān)鍵字: Marvell  控制器  NAND  

            半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

            •   科研投資   日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說:2012年日本國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元,占GDP的5%,但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計(jì)算,半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元 ,兩者之比達(dá)到1:20,如此給力,誰不動(dòng)心?!但是,半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè),沒有國家的大力支持,沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入,那是美夢(mèng)難圓的。   半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長的要素之一,它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  IC  201405  

            競(jìng)逐eMMC商機(jī) Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

            • 2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長,2014年,平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待,尤其在中國大陸銷售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模,引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
            • 關(guān)鍵字: Flash  控制芯片  

            半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

            •   智慧之石  作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件,已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代:1.?電子管時(shí)代――1905~1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947~1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958~…(到2014年已有56年)?! ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時(shí)代的序幕,為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件,在它存在的40多年的時(shí)間里,推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表,1920年即開始廣播,也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
            • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  PC  201404  

            FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

            •   隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善,F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì),其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
            • 關(guān)鍵字: Flash  驅(qū)動(dòng)  FPGA  

            基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

            •   靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設(shè)備中,常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
            • 關(guān)鍵字: SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

            2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營收下滑4.5%

            •   全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示,在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀,導(dǎo)致產(chǎn)出成長高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求,以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下,2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營收較第三季下滑4.5%,來到61億6,800萬美元。   2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少,因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
            • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  
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            nand-flash介紹

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