nand-flash 文章 進入nand-flash技術(shù)社區(qū)
下游需求高企 2014年中國內(nèi)存芯片市場將占全球兩成
- TrendForce最新研究報告顯示，隨著中國市場近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開放，GDP成長率呈現(xiàn)高度的成長，所伴隨而來的就是驚人的消費潛力，無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰(zhàn)區(qū)。TrendForce旗下權(quán)威內(nèi)存研究機構(gòu)DRAMeXchange最新數(shù)據(jù)顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。 從DRAM市場來觀察，PC-DRAM在中國市場的消化量已經(jīng)來到15%，內(nèi)需市場的強勁
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM Flash
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設計與實現(xiàn)
- 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進行特殊設計，以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。 FLASH的特點 FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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全球半導體市況良好 韓廠火熱、日廠躊躇
- 全球半導體市場第3季，以870億美元創(chuàng)下史上最高營收紀錄，景氣持續(xù)樂觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長最多，南韓業(yè)者營收屢創(chuàng)新高，然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長衰退跡象。 據(jù)Digital Times報導，日前美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)宣布，第3季半導體產(chǎn)業(yè)全球營收，與前年同期相比成長8.0%，以870億美元創(chuàng)下史上單季最高紀錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)在7月預測的年度成長值6.5%。 SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導
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Spansion 推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品
- 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業(yè)設備市場的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。 Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動中國半導體時代的來臨
- 過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進的半導體技術(shù)不會到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導體技術(shù)到中國投資都有設定限制，因此過去國際半導體廠在中國投資半導體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術(shù)、買設備與外資合作建立中國半導體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
- 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領(lǐng)域?？蛻粢部衫么思夹g(shù)帶動串行外設接
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iPhone 6推升智能手機NAND搭載容量
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機領(lǐng)導廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢幕尺寸從一直堅守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。 DRAMeXchange
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法
- 在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數(shù)據(jù)，MSP430G 系列處理器在芯片內(nèi)部劃分出了256 字節(jié)的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數(shù)據(jù)，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應用中，這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應
- 關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù)，使系統(tǒng)運行到無法預知的狀態(tài)，從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設計服務，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
新蘋效應 NAND下月涌急單
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示，智慧手機市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況，上游供應商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
- 關(guān)鍵字： NAND 控制晶片
中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了
- 雖然規(guī)模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準備進軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設計方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM 由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，F(xiàn)lash MCU市場價格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
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