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三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達到1xnm N
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半導體廠擴產(chǎn) 力成進補
- 不讓韓國三星專美于前，日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好
- 據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預期落空，但明年的前景要光明得多。 SEMI(半導體設(shè)備暨材料協(xié)會)預計，2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。 當然，SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好
- 根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預計芯片制造設(shè)備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。 這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。 不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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內(nèi)存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了
- 7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機需求增長，由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運，開始收獲金錢了。 在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。 兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。 I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面
- 存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。 根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查，由于全球4大供應商近一年來沒有擴產(chǎn)動作，加上制程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%，但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
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NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強勁
- 據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告，低端平板電腦市場相對強健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年營業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。 2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長17%，這是當年表現(xiàn)最好的一個季度，如圖3所示。在最后一個季度的強力推動下，2012年全年NAND營業(yè)收入達到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔憂的水平。 圖3：2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預估(以百
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日系半導體公司一季度恢復盈利
- 根據(jù)Digitimes的研究報告顯示，日本前三大半導體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經(jīng)提高。 其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元)，達到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。 瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達到1739億日元。然而，在連續(xù)七個季度的經(jīng)營虧
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