nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

基于FPGA的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲(chǔ)芯片的優(yōu)點(diǎn)有效地結(jié)合起來，實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)串行存儲(chǔ)芯片的高效讀寫操作，完成了對(duì)大量測(cè)量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)處理和與上位機(jī)的交換，并在某電力局項(xiàng)目工頻場(chǎng)強(qiáng)環(huán)境監(jiān)測(cè)儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲(chǔ) FPGA

基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲(chǔ)容量達(dá)2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn),實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時(shí)鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計(jì)FPGA電路之前，需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊(cè)。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡(jiǎn)單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時(shí)鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

2017第一季度NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排名

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚(yáng)約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦內(nèi)的行動(dòng)式存儲(chǔ)價(jià)格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
關(guān)鍵字： NAND SK海力士

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實(shí)現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個(gè)物理塊的關(guān)系，同時(shí)支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯(cuò)誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(dòng)(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲(chǔ)卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動(dòng)。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機(jī)與閃速存儲(chǔ)器接口和程序設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種，與其他種類的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢(shì)：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關(guān)鍵字： NOR Flash 接口單片機(jī)

F1aSh存儲(chǔ)器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲(chǔ)器Am29F040摘要的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實(shí)現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動(dòng)引導(dǎo)的方法。
關(guān)鍵字： DSP Flash TI

Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購(gòu)潮的影響下，前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強(qiáng)，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)

　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個(gè)術(shù)語的發(fā)明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中，將推動(dòng)NAND銷售，從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) NAND

東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè)，但競(jìng)標(biāo)者眾、過程冗長(zhǎng)，如此一來，韓國(guó)廠商反倒會(huì)成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后，這會(huì)讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。　　美國(guó)硬盤機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
關(guān)鍵字：東芝 NAND

中國(guó)必須建設(shè)自主存儲(chǔ)，為什么？

在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛，作用也會(huì)愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
關(guān)鍵字： NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

東芝是大股東的群聯(lián)董事長(zhǎng)：東芝芯片會(huì)賣給日資

　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對(duì)于東芝內(nèi)存出售案，但長(zhǎng)期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。他推斷最后結(jié)果，將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。　　潘健成強(qiáng)調(diào)，東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣，東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè)，因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
關(guān)鍵字：東芝 NAND