nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結(jié)合起來，實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Flash 串行存儲 FPGA

基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
關(guān)鍵字：數(shù)據(jù)采集 Flash FPGA

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)電路分析

FPGA的管腳主要包括：用戶I/O（User I/O）、配置管腳、電源、時鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途，所以在設(shè)計FPGA電路之前，需要認真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊。
關(guān)鍵字： Cyclone Altera Flash FPGA CPLD SDRAM FPGA最小系統(tǒng)

FPGA最小系統(tǒng)之：最小系統(tǒng)的概念

FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少，只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括：FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括：SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
關(guān)鍵字： FPGA最小系統(tǒng) Altera NiosII Flash SDRAM

2017第一季度NAND Flash品牌廠商營收排名

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響，即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價卻仍上揚約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機與平板電腦內(nèi)的行動式存儲價格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進而轉(zhuǎn)進垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
關(guān)鍵字： NAND SK海力士

SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作；翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系，同時支持TFFS的各種功能，如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等；MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等)；socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡，主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
關(guān)鍵字：文件系統(tǒng) Flash SOCKET

Flash硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法，并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設(shè)計中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
關(guān)鍵字：編程接口 Flash 擦除

大容量NOR Flash與8位單片機的接口設(shè)計

Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
關(guān)鍵字： NOR Flash 接口單片機

F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘要的原理和應(yīng)用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導(dǎo)的方法。
關(guān)鍵字： DSP Flash TI

Flash數(shù)據(jù)丟失，說好的數(shù)據(jù)去哪了？

芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
關(guān)鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導(dǎo)體收入增長2.6%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導(dǎo)體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%，表現(xiàn)遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長率?！　artner研究總監(jiān)James Hines表示：“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟，但下半年需求增強，定價環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長的因素包括多項電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
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物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起我國亟需建設(shè)自主存儲

　　“物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個術(shù)語的發(fā)明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。本文將對體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
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東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè)，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者? 　　韓聯(lián)社 24 日報導(dǎo)，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產(chǎn)良機。　　美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
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中國必須建設(shè)自主存儲，為什么？

在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應(yīng)用會非常廣泛，作用也會愈發(fā)重要，出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會用到NAND。
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東芝是大股東的群聯(lián)董事長：東芝芯片會賣給日資

　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現(xiàn)高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內(nèi)存出售案，但長期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。他推斷最后結(jié)果，將會由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權(quán)，再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。　　潘健成強調(diào)，東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達破產(chǎn)不一樣，東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財務(wù)危機的是核電事業(yè)，因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨立新公司
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]