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NAND閃存供應短缺，三星斥資186億美元投資芯片

　　韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動NAND閃存的
關鍵字： NAND 三星

ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉

　　ICinsights認為，全球內(nèi)存下半年價格上漲動能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。　　盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營收預料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價快速上漲之賜。以DRAM為例，DRAM平均售價今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來之最。　　內(nèi)存價格從去年第三季起漲，ICinsights預期動能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。　　ICinsights指出，隨著價格走揚，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
關鍵字： DRAM NAND

KBS：聚焦韓國半導體產(chǎn)業(yè)

　　韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產(chǎn)業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導體工廠的意義。　　根據(jù)IT市場研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。這個數(shù)字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導體廠
關鍵字：半導體 NAND

NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

　　這個時間點我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉　　從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
關鍵字： DRAM NAND

三星電子全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線投產(chǎn)

　　據(jù)韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬片，并計劃持續(xù)擴充生產(chǎn)設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。　　據(jù)了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。　　三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線投入6
關鍵字：三星 V-NAND

東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND

　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。　　東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
關鍵字：東芝 NAND

Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關鍵因素了。
關鍵字： Flash UFS

64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點」？

　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內(nèi)成為市場主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線。他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
關鍵字： NAND 堆棧

三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產(chǎn)，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩(wěn)固領先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。　　其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動與消費型儲存市場開發(fā)新應用，務求與 I
關鍵字：三星 NAND

若拿下東芝郭董：優(yōu)先設廠美國

　　鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。對日本出現(xiàn)擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調(diào)，鴻海如果順利得標，海外市場將優(yōu)先考慮在美設內(nèi)存芯片廠。　　東芝半導體競標案進入倒數(shù)計時，預計本周公布結果。競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。郭董強調(diào)，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點將優(yōu)先考慮美國。　　郭臺銘補充，因為美國國內(nèi)市場需求在當?shù)剡€沒達到，
關鍵字：東芝 NAND

基于ZigBee技術的家居智能無線網(wǎng)絡系統(tǒng)

介紹了一種基于ZigBee技術的智能家居無線網(wǎng)絡系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設計。
關鍵字： UART ZigBee ACLK Flash

NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
關鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾

每況愈下東芝還能否從風暴中脫身？

公司內(nèi)部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經(jīng)濟及東芝業(yè)績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業(yè)績歪風興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
關鍵字：東芝 NAND

NAND Flash下季度或史上最缺貨

　　NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰(zhàn)，近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。　　群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。　　潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。　　群聯(lián)在今年4月時，手
關鍵字： NAND

基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術

以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結合起來，實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應用。
關鍵字： Flash 串行存儲 FPGA

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]