nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)
潘健成:明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準(zhǔn)備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉(zhuǎn)換至64/72層3D NAND規(guī)格,隨著制程轉(zhuǎn)換完成,全球缺貨問題也逐漸紓解,群聯(lián)董事長潘健成指出,2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代,帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb,SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次,群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準(zhǔn)備好了,呈現(xiàn)蓄勢(shì)待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉(zhuǎn)換不順、數(shù)據(jù)中心對(duì)于儲(chǔ)存容量需求快速攀升之故,導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)供需失衡,芯片價(jià)格一直高居不下,但這樣的狀況停留太久后,導(dǎo)致終端產(chǎn)品的需求被抑制,
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美光任命Derek Dicker為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理
- 美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?! ≡诖寺毼簧?,Dicker 將負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)和拓展美光的固態(tài)存儲(chǔ)業(yè)務(wù),包括打造世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案,從而把握云端、企業(yè)級(jí)和客戶端計(jì)算等大型細(xì)分市場(chǎng)中日漸增多的機(jī)遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 匯報(bào)?! icker 在半導(dǎo)體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn),包括在 Intel、
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旺宏NAND論文 獲國際肯定
- 內(nèi)存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果,昨(29)日宣布,最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構(gòu)的論文入選國際電子組件大會(huì)(IEDM),被評(píng)選為「亮點(diǎn)論文」,是今年臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠商,彰顯旺宏在先進(jìn)內(nèi)存研發(fā)實(shí)力受到國際高度肯定,也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 旺宏強(qiáng)調(diào),獨(dú)立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結(jié)構(gòu)(SGVC),相較其他大廠現(xiàn)有技術(shù),以相同的堆棧層數(shù),卻可達(dá)到二到三倍的內(nèi)存密度。 目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
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讓汽車更智能,適用于汽車遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201711/97051511761351.jpeg)
- 被譽(yù)為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕,來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來描繪下一代汽車發(fā)展藍(lán)圖,其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認(rèn)的未來的發(fā)展方向。 例如,豐田展出的“愛i”系列,能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習(xí)慣及行為模式,甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車,豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”,不僅助力環(huán)保,更在智能性方面有了極大提高。SORA內(nèi)外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭,能捕捉到周圍的行人、車輛
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三星擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩
- 三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為最大宗,研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,3D NANDFlash恐將供過于求。 IC Insights預(yù)估,今年全球半導(dǎo)體資本支出金額將達(dá)908億美元,將成長35%;其中,三星今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與臺(tái)積電的總和還多。 三星今年的資本支出主要投入3D儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash),將達(dá)140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進(jìn)動(dòng)態(tài)
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兆易創(chuàng)新獲中芯支援?dāng)U產(chǎn)Nor Flash 短期恐對(duì)價(jià)格沖擊有限
- 據(jù)報(bào)導(dǎo), Nor Flash 生產(chǎn)大廠兆易創(chuàng)新(Gigadevice)搶進(jìn) Nor Flash 市場(chǎng),獲得代工龍頭中芯國際(SMIC)的支持,將提供兆易創(chuàng)新每月 2.5 萬片,占全球 Nor Flash 約 30% 的產(chǎn)能,進(jìn)一步威脅臺(tái)灣大廠旺宏與華邦電。 不過,根據(jù)《科技新報(bào)》獨(dú)家取得的消息,中芯國際供應(yīng)兆易創(chuàng)新的產(chǎn)能,僅為每月一萬片。雖然對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)的供貨有所幫助,但是對(duì)價(jià)格的沖擊,短期可能有限。 存儲(chǔ)器業(yè)者透露表示,預(yù)定 2018 年第 1 季在兆易創(chuàng)新獲得中芯國際支持的產(chǎn)能陸續(xù)投片,
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東芝營益飆升近80% 將加碼投資Flash
- 東芝(Toshiba)9日公布財(cái)報(bào),受惠于存儲(chǔ)器需求暢旺,營益飆升將近80%。該公司并宣布將加碼投資存儲(chǔ)器。 法新社、路透社、金融時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo),東芝發(fā)布本財(cái)年第二季(7~9月)財(cái)報(bào),營收年增2.4%至1.24萬億日?qǐng)A,營益飆升76%至1,351億日?qǐng)A(12億美元),高于路透訪調(diào)估計(jì)的1,245日?qǐng)A。不過該季仍呈現(xiàn)虧損,凈損1,001億日?qǐng)A。 東芝營益大增,主因存儲(chǔ)器表現(xiàn)強(qiáng)勁,不過東芝已經(jīng)同意出售半導(dǎo)體事業(yè)子公司“東芝存儲(chǔ)器”(TMC)給予貝恩資本和SK海力士等集團(tuán),代價(jià)
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東芝第二財(cái)季運(yùn)營利潤增長76% 芯片業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁
- 11月9日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,日本東芝公司今天公布財(cái)報(bào)顯示,由于受到旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)強(qiáng)勁業(yè)績的驅(qū)動(dòng),該公司本財(cái)年第二季度運(yùn)營利潤增長了76%。最近,該公司同意將旗下內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對(duì)外出售。 處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示,本財(cái)年7至9月份這個(gè)第二季度運(yùn)營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。 這個(gè)業(yè)績好于分析師預(yù)期,湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預(yù)估,東芝本財(cái)年第二季度運(yùn)營利潤是1244.7億日
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)
- 美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域,也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲(chǔ)商機(jī)
- 美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后,開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度,日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成,將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案,32GB和64GB版microSD卡搶先問世,預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開始送樣,同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn),除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費(fèi)性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域,也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用,日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲(chǔ)存解決方案產(chǎn)品組合,以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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IC Insights:全球半導(dǎo)體2017年上調(diào)市場(chǎng)預(yù)測(cè)提升至22%
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201710/ab532e741d85b91f183dde5e03f699d9.png)
- 據(jù)IC Insights預(yù)測(cè),2017年的IC市場(chǎng)增長率有望提高到22%,較今年年中預(yù)期的16%再提升6個(gè)百分點(diǎn),出貨量增長率預(yù)測(cè)也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)是由于DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的激增。 此外,IC Insights同時(shí)調(diào)稿對(duì)O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場(chǎng)的預(yù)測(cè)??傮w而言,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)計(jì)增長達(dá)20%,比年中預(yù)期調(diào)高5個(gè)百分點(diǎn)。 2017年,IC Insights預(yù)測(cè)DRAM的平均售價(jià)將大漲77%,預(yù)計(jì)今年將推動(dòng)DRAM
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行,如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]
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