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英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉(zhuǎn)向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著其他各家廠商的腳步，開始有了新的進度。根據(jù)外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經(jīng)開始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉(zhuǎn)向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
關鍵字：英特爾 144層 NAND

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
關鍵字：群聯(lián) 控制芯片長江存儲3D NAND

群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場添增了一股活力。
關鍵字：群聯(lián) 3D NAND 長江存儲

長江存儲：128層3D NAND技術會按計劃在今年推出

據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示，接下來，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
關鍵字：長江存儲 3D NAND

集邦咨詢：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價可能提前于下半年反轉(zhuǎn)向下

根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動能格外疲弱，但在NAND Flash領域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長收斂至三成，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
關鍵字：集邦咨詢新冠肺炎 NAND Flash

華邦電進軍車用、工業(yè)領域

存儲器大廠華邦電近日宣布，開發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車用與工業(yè)應用領域穩(wěn)健可靠的儲存存儲器。
關鍵字：華邦電 NAND Flash 車用與工業(yè)應用領域

存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束？

據(jù)IDC預測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營收規(guī)模均成長近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說，2017年全球半導體市場規(guī)模比2016年成長22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
關鍵字：存儲器、NAND、DRAM

武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
關鍵字：武漢新芯 50nm SPI NOR Flash

引領存儲新架構構建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領域知名的專家學者、企業(yè)領軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會旨在幫助企業(yè)和社會提升數(shù)據(jù)智能水平，推動全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術和QLC NAND?技術填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術創(chuàng)新引領存儲新架構，構建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
關鍵字： QLC NAND 內(nèi)存

SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報道，隨著NAND閃存技術的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時代即將到來，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
關鍵字： SK 4D NAND 128層

海可枯石可爛，程序存儲的空間也會變

現(xiàn)如今，基本上所有的東西都打上了一個叫做“保質(zhì)期”的標簽。在電子產(chǎn)品那里，有一個更為專業(yè)一點的術語，叫做“產(chǎn)品生命周期”。
關鍵字： RAM flash 程序

兆易SPI NOR Flash GD25LX256E榮獲“中國芯”優(yōu)秀技術創(chuàng)新產(chǎn)品獎

近日，?業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其旗下全新一代高速8通道SPI NOR Flash---GD25LX256E榮獲中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院頒發(fā)的2019年第十四屆“中國芯”優(yōu)秀技術創(chuàng)新產(chǎn)品獎。“中國芯”獎項是目前國內(nèi)最具權威性與影響力的獎項之一，本屆共有125家芯片企業(yè)、累計187款芯片產(chǎn)品參與報名，基本涵蓋國內(nèi)最具實力的集成電路企業(yè)和最具代表性的產(chǎn)品，是國內(nèi)集成電路產(chǎn)品和技術發(fā)展的風向標和大檢閱。此次SPI NOR Flash產(chǎn)品
關鍵字： NOR Flash

東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術

據(jù)外媒報道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC，XL-Flash將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來了低延遲和高性能的解決方案，樣品預計將于下月送樣檢測，或?qū)⒂?020年量產(chǎn)。
關鍵字：東芝存儲器 XL-Flash

中國首款！長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團旗下長江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
關鍵字： 3D NAND

NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導致存儲器價格將反轉(zhuǎn)契機出現(xiàn)，NAND Flash價格調(diào)漲從7月開始顯現(xiàn)，而國際大廠之間的技術競爭更是暗潮洶涌。
關鍵字：三星電子東芝存儲器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]