nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

中國DRAM和NAND存儲技術和產業(yè)能趕超韓國嗎?

近日，韓國進出口銀行海外經濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領域的技術差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術差距為2年-2年半，兩國之間的技術差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領域，中國與韓國的技術差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
關鍵字： DRAM NAND

長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
關鍵字：長江存儲 3D NAND

中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調研機構的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
關鍵字：存儲芯片 DRAM NAND Flash

長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
關鍵字：長江存儲 3D NAND

存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
關鍵字：長江存儲 3D NAND

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
關鍵字：長江存儲 3D NAND

國產存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預計年底量產

頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現(xiàn)量產。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D N
關鍵字：長江存儲 3D NAND

美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

內存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產品，采用久經考驗的第 11 代 SATA 架構，支持廣范的應用場景，提供相比傳統(tǒng)機械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產品總經理 Alvaro Toledo 表示
關鍵字：美光數(shù)據(jù)中心 176 層 NAND SATA SSD

SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產品”

“獨立子公司成立僅三個月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運營，以創(chuàng)造協(xié)同效應和合作伙伴關系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
關鍵字： SK海力士 Solidigm eSSD NAND

針對勒索軟件與網絡攻擊 IBM打造新一代儲存產品

IBM發(fā)布下一代閃存產品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網絡攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產品，瞄準勒索軟件及其他網絡攻擊根據(jù)IBM網絡彈性機構的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經歷了勒索軟件攻擊。隨著網絡攻
關鍵字： NAND Flash IBM 閃存

SK海力士與英特爾已完成收購交易的第一階段：NAND閃存市場會有什么變化？

據(jù)韓國媒體消息，中國監(jiān)管機構審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國芯片制造商從英特爾手中收購NAND閃存業(yè)務進行評估，并決定批準該收購，這為SK海力士掃清了最后一個障礙。
關鍵字： SK海力士英特爾 NAND 閃存

TrendForce：三星NAND Flash生產不受西安封城影響

中國西安正受疫情影響而封城，目前尚無法預期解封時間，根據(jù)TrendForce調查，由于三星（Samsung）在當?shù)卦O有兩座大型工廠，均用以制造3D NAND高層數(shù)產品，投片量占該公司NAND Flash產能達42.3%，占全球亦達15.3%，現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營運。然而，當?shù)胤獬谴胧﹪栏窆芸厝肆骷拔锪鳎M管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經安排妥適，但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能，這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
關鍵字： TrendForce 三星 NAND Flash

如何從單點起步，到打造一站式的芯片平臺

本土企業(yè)如何邁過“一代拳王”這道坎，實現(xiàn)可持續(xù)增長？2020年8月，兆易創(chuàng)新公司舉辦了“‘兆存儲易控制新傳感’2020兆易創(chuàng)新全國巡回研討會”。在北京站，執(zhí)行副總裁、存儲器事業(yè)部總經理舒清明先生介紹了兆易創(chuàng)新的戰(zhàn)略布局，從中可見其如何從擅長的Flash存儲器入手，成為行業(yè)翹楚，并進一步開拓其他業(yè)務，開辟MCU、傳感器、DRAM業(yè)務的思路。
關鍵字： 202009 存儲 MCU 本土芯片 Flash MCU 傳感器

筆記本電腦與手機火熱 2021年第一季NAND Flash總營收季增5.1%

根據(jù)TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash產業(yè)總營收達148.2億美元，季增5.1%，其中位出貨量成長11%，大致抵消平均銷售單價下跌5%帶來的影響。在議價時，需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁，但數(shù)據(jù)中心市場需求仍屬疲弱，市場尚未脫離供過于求的狀態(tài)，各類產品合約價仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而，OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產品供給，自今年一月下旬便開始增加訂單，一方面避免陷入缺貨風險，也希望在料況無虞的情況下，策略性擴大市占，使得第一季NAND
關鍵字： NAND Flash

美光專家對176層NAND的解答

2020 年11 月，美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND，實現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破（如圖1）。為此，《電子產品世界》采訪了該公司工藝集成技術開發(fā)高級總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產品線高級經理KevinKilbuck。問：176 層產品目前用于哪些應用？Kevin Kilbuck：我們Crucial英睿達品牌的某些消費類固態(tài)硬盤采用了176 層NAND，已經開始出貨。問：新的176 層NAND 如何解決產量挑戰(zhàn)？如何解決層間干擾？Kunal Parekh：通過嚴格的試驗和測
關鍵字： 202103 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數(shù) [ 查看詳細 ]