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            三星將于今年下半年開始批量生產HBM芯片
            
                                                            
              
                    	
            • AI服務器需求，帶動HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲大廠在加速HBM布局。據韓媒《TheKoreaTimes》6月27日報道，三星電子將于今年下半年開始批量生產高帶寬內存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長的人工智能（AI）市場。根據報道，三星將量產16GB、24GB的HBM3存儲芯片，這些產品數據處理速度可達到6.4Gbps，有助于提高服務器的學習計算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim 
Jae-joon在4月份的電話會議上表示，該公司計劃在今年下半年推出下一代HBM3P產品，以滿
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            • 關鍵字：
                        三星  HBM                          
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            AI大勢！GPU訂單排到明年、HBM與先進封裝需求大漲
            
                                                            
              
                    	
            • 2023年ChatGPT引發(fā)的AI熱潮仍在繼續(xù)，近期媒體報道，今年擁有云端相關業(yè)務的企業(yè)，大多都向英偉達采購了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時，由于英偉達大量急單涌入，晶圓代工企業(yè)臺積電也從中受益。據悉，英偉達正向臺積電緊急追單，這也令臺積電5納米制程產能利用率推高至接近滿載。臺積電正以超級急件（superhotrun）生產英偉達H100、A100等產品，而且訂單排至年底。業(yè)界認為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發(fā)展，未來市場對GPU的需求將不斷上升，并將帶動HBM以及
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            • 關鍵字：
                        AI  GPU  HBM  先進封裝                          
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            英特爾至強CPU Max系列：整合高帶寬內存（HBM）和至強處理器內核
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 治療癌癥、減緩全球變暖、保護生態(tài)健康——當今世界充滿了各種挑戰(zhàn)。因此，通過科技緊跟時代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長的數據至關重要。這不僅涉及數據的處理速度，也涉及能夠處理的海量數據，以及數據在內存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設計工程部首席工程師、英特爾?至強? CPU Max系列（代號Sapphire Rapids HBM）首席架構師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰(zhàn)：究其根本，一顆CPU是從內存獲取信息、對其進行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數據傳輸“管道”的寬窄。
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            • 關鍵字：
                        英特爾  至強CPU  高帶寬內存  HBM  至強處理器內核                          
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            AI服務器需求帶動HBM供應
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • AI服務器出貨動能強勁帶動HBM（high bandwidth 
memory）需求提升，據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK 
hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學習AI 
GPU的規(guī)格也刺激HBM產品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD 
MI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對應規(guī)格HBM3的量產。因此，在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下，SK海力士作為目
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            • 關鍵字：
                        AI服務器  HBM  SK海力士                          
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            速度優(yōu)勢是HBM產品成功的關鍵
            
                                                            
              
                    	
            • 高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth 
Memory）是一種可以實現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統(tǒng)。隨著計算技術的發(fā)展，機器學習的應用日漸廣泛，而機器學習的基礎是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經網絡模型。作為速度最快的DRAM產品，HBM在克服計算技術的局限性方面發(fā)揮著關鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎技術和先進設計工藝的支持。由于HBM是在3D結構中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過
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            • 關鍵字：
                        速度  HBM  SK海力士                          
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            漢高電子材料攜創(chuàng)新解決方案亮相SEMICON China 2020
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 2020年6月28日，半導體和電子行業(yè)的年度盛會SEMICON China在上海隆重舉行。全球粘合劑市場的領先者漢高再次亮相此次展會，粘合劑技術電子材料業(yè)務在展會期間全方位展示了應用于先進封裝、存儲器和攝像頭模組等領域的創(chuàng)新產品和解決方案。先進封裝目前，全球半導體產業(yè)正處于一段轉折期，數據爆炸性增長推動了以數據為中心的服務器、客戶端、移動和邊緣計算等架構對高性能計算的需求，對5G部署、手持設備封裝中小型化和集成的持續(xù)需求，這些趨勢推動了先進封裝逐步進入成熟期。當前半導體和封裝技術快速發(fā)展，對于芯片與電子產
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            • 關鍵字：
                        SEMICON China  HBM                          
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            三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲器頻寬限制
            
                                                            
              
                    	
            • 　　挹注次世代存儲器半導體技術研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。
　　據Digital Times報導，英特爾預計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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            • 關鍵字：
                        三星  HBM                          
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            NV使用HBM芯片或由海力士和三星共同提供
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個存儲巨頭的三星也進入了HBM存儲芯片市場，并且開始在2016年第一季度開始大規(guī)模生產。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產第二代HBM芯片。
　　

 
　　

 
　　業(yè)內人士指出，無論是三星電子還是SK海力士都正在計劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產第二代高帶寬顯存芯片，而實現(xiàn)大規(guī)模生產的時間預計在2016年的第一季度，但在這之前的試產以及生產的可靠性測試已經由SK海力
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            • 關鍵字：
                        NV  HBM                          
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            HBM顯存最大勁敵：美光明年上三代HMC
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　作為最老資歷的PC組成部件，內存及內存存儲體系已經擁有了幾十年的歷史，其漫長的發(fā)展過程曾伴隨數次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發(fā)生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內存。
　　

 
　　目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內存還依標準不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
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            • 關鍵字：
                        HBM  美光                          
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            AMD:不會靠HBM掙專利費 NVIDIA隨便用
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　目前，AMD是唯一一家使用HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲產品)的公司，這要得益于他們和SK Hynix等合作伙伴的長期開發(fā)，據說長達8年半之久。
　　

 
　　HBM如其名，最大的特點就是高帶寬(確切地說是高位寬)，目前已經可以做到單個顆粒1024-bit，GDDR5的足足32倍。同時，HBM每個堆棧的帶寬可以突破100GB/s，GDDR5的四五倍。
　　更關鍵的是，HBM的電壓要求僅僅1.3V，低于GDDR5 1.5V，更加的節(jié)能。
　　


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            • 關鍵字：
                        AMD  HBM                          
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            付出正確的電路保護費
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　摘要：本文通過采用合適的過電流和過電壓保護元件，生產商可保證其產品成為用戶生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護元件也保證了各應用產品符合安全和功能因素相關的規(guī)章條例的要求。
　　許多用戶都沒有意識到他們自己每天在使用的電子設備存在著最大的風險。電路保護是所有電子設備必有的特性——不論是車載、家用或是工用電子設備——因為只要人體接觸含敏感電子半導體的器件，就會出現(xiàn)ESD(靜電放電)現(xiàn)象。
　　如果周圍的空氣特別干燥，比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷，剛把
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            • 關鍵字：
                        電路保護  ESD  TVS  集成電路  HBM  201411                          
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