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HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響
- HBM 即高帶寬內(nèi)存，是一款新型的 CPU/GPU 內(nèi)存芯片。如果說傳統(tǒng)的 DDR 就是采用的"平房設(shè)計(jì)"方式，那么 HBM 則是采用"樓房設(shè)計(jì)"方式。目前，HBM 產(chǎn)品以 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)?？梢钥吹?，HBM 每一次更新迭代都會伴隨著處理速度的提高。HBM3 自 2022 年 1 月誕生，便憑借其獨(dú)特的 2.5D/3D 內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3 不僅
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美光表示24年和25年大部分時間的高帶寬內(nèi)存已售罄
- 美光目前在高帶寬內(nèi)存市場上處于劣勢，但看起來情況正在迅速變化，因?yàn)樵摴颈硎酒?nbsp;HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達(dá)的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計(jì)算，因此美光似乎準(zhǔn)備搶占相當(dāng)大的HBM市場份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財(cái)報(bào)電話會議準(zhǔn)備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預(yù)計(jì) HBM
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黃仁勛：三星是一家非常優(yōu)秀的公司，英偉達(dá)正驗(yàn)證其 HBM 內(nèi)存
- 3 月 20 日消息，本周二在美國加州圣何塞舉辦的媒體吹風(fēng)會上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛表示：“HBM 內(nèi)存不僅生產(chǎn)難度高，而且成本非常高，我們在 HBM 上可謂是一擲千金”。黃仁勛將 HBM 稱為“技術(shù)奇跡”（technological miracle），相比較傳統(tǒng) DRAM，不僅可以提高數(shù)據(jù)中心的性能，功耗方面明顯更低。在本次吹風(fēng)會之前，網(wǎng)絡(luò)上有不少消息稱英偉達(dá)會從三星采購 HBM3 或 HBM3E 等內(nèi)存，而在本次吹風(fēng)會上，黃仁勛正面表示：“三星是一家非常非常優(yōu)秀的公司”（Samsung is a v
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存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品
- 近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩
- 邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！
- 邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn)，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好
- IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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存儲大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝
- SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計(jì)和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報(bào)道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財(cái)報(bào)中表示，
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HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲廠商的狂歡？
- 近期，存儲廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價較高，確實(shí)會對存儲器廠商營收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭奪HBM市場。存儲市場正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺前，并成為推動存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲廠商的“狂歡”。如今，存儲大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
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全球HBM戰(zhàn)局打響！
- AI服務(wù)器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關(guān)鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導(dǎo)體下行周期中逆勢增長的風(fēng)景線。業(yè)界認(rèn)為，HBM是加速未來AI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時，HBM技術(shù)再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進(jìn)國家戰(zhàn)略技術(shù)之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術(shù)原理上講，HB
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美光、SK海力士今年HBM已售罄
- 繼此前美光宣布 HBM 產(chǎn)能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 產(chǎn)能也已經(jīng)全部售罄。
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄
- 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計(jì)已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計(jì)劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計(jì)將
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價格暴漲500%，HBM市場徹底被引爆
- 內(nèi)存技術(shù)作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能的提升對于整體計(jì)算能力的提升至關(guān)重要。在這個背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）以其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域嶄露頭角，成為推動計(jì)算領(lǐng)域進(jìn)入全新時代的關(guān)鍵力量。相較于傳統(tǒng)的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），HBM 的性能優(yōu)勢顯而易見。遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越 DDRDDR 是一種常見的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型，最早是為了提高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾识O(shè)計(jì)的。它采用了雙倍數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)，即在每個時鐘周期內(nèi)可以傳輸兩次數(shù)據(jù)，從而提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。目前最常見的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在過去還
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SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”
- 最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財(cái)報(bào)，2023 年第四季度實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年?duì)I業(yè)利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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