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HBM產(chǎn)能緊 美光傳大舉擴產(chǎn)
- 在人工智能（AI）熱潮席卷全球下，帶動市場對于高帶寬內(nèi)存（HBM）需求大幅增長，造成產(chǎn)能緊張。知情者透露，美國內(nèi)存芯片大廠美光（Micron）為掌握更多HBM產(chǎn)量，正在美國打造多條測試生產(chǎn)線以求擴大產(chǎn)能，并首度考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，同時擴大在臺中的產(chǎn)能。 日本經(jīng)濟新聞20日報導，美光今年6月初曾經(jīng)表示目標在2025年底，把其HBM市占率大幅提升至目前的逾3倍，達到25％附近，這跟其目前在全球DRAM市占率差不多，美光正積極要在HBM領(lǐng)域追上韓國SK海力士與三星電子。知情者表示，美光正擴大其愛達荷州博伊
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有望改變 AI 半導體規(guī)則，消息稱三星電子年內(nèi)將推出 HBM 三維封裝技術(shù) SAINT-D
- IT之家 6 月 18 日消息，據(jù)韓媒《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子將于年內(nèi)推出可將 HBM 內(nèi)存與處理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技術(shù)。報道同時指出，在今年發(fā)布后，三星有望于明年推出的 HBM4 內(nèi)存中正式應(yīng)用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的簡寫）-D 技術(shù)。SAINT-D 是三星電子的一項 3DIC 先進封裝技術(shù)，旨在垂直集成邏輯裸片和 DRAM 內(nèi)存裸片。報道
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三星否認HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避
- 有報導稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認。韓媒BusinessKorea報導稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試，“正改善質(zhì)量”
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試
- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價值數(shù)十億美元
- IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預(yù)計 HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長率將達到 50%。為了應(yīng)對 HBM 領(lǐng)域的強勁需求，美光調(diào)升了本財年資本支出的預(yù)計規(guī)模，從 75~80 億美
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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存儲大廠業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移？
- 近期，媒體報道三星電子在最新財報電話會議中表示，未來存儲業(yè)務(wù)的重心不再放在消費級PC和移動設(shè)備上，而將放在HBM、DDR5服務(wù)器內(nèi)存以及企業(yè)級SSD等企業(yè)領(lǐng)域。三星存儲業(yè)務(wù)副總裁 Kim Jae-june在電話會議上透露，公司計劃到今年年底，HBM芯片的供應(yīng)量比去年增加3倍以上。2025年HBM芯片產(chǎn)量再翻一番。AI熱潮推動下，HBM需求持續(xù)高漲，部分原廠表態(tài)，HBM產(chǎn)品在今年已經(jīng)售罄，有的甚至表態(tài)明年的HBM也已經(jīng)售罄。這一背景下，三星調(diào)整業(yè)務(wù)方向，專攻HBM等高附加值產(chǎn)品也就順理成章。另據(jù)媒體報道，三
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長
- 2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢，全球算力規(guī)模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢脫穎而出，然
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2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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SK海力士與臺積電攜手加強HBM技術(shù)領(lǐng)導力
- ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過采用臺積電的先進制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術(shù)，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開發(fā)預(yù)計在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級邏輯代
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價格和需求同亮眼，HBM存儲及先進封裝將迎來擴產(chǎn)
- 市場對人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫存調(diào)整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款A(yù)I芯片的HBM存儲系統(tǒng)售價更高。在此帶動下，從今年
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三星組建HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊，加速AI推理芯片Mach-2開發(fā)
- 三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Hwang Sang-joon領(lǐng)導HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊。據(jù)外媒報道，近日，三星電子DS部門負責人慶桂顯表示，三星內(nèi)部正采取雙軌AI半導體策略，同步提高在AI用存儲芯片和AI算力芯片領(lǐng)域的競爭力。三星組建了由DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負責人Hwang Sang-joon領(lǐng)導HBM內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊。此外，慶桂顯稱客戶對于AI推理芯片Mach-1的興趣正在增長，并有部分客戶表達了將Mach系列芯片應(yīng)用于超1000B參數(shù)大模型推理的期望，因此三星電子將加速下代Mach-2
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三星組建 HBM 產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊，加速 AI 推理芯片 Mach-2 開發(fā)
- 4 月 1 日消息，三星電子 DS 部門負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內(nèi)部正采取雙軌 AI 半導體策略，同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領(lǐng)域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分，三星組建了由 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負責人 Hwang Sang-joon 領(lǐng)導 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊，這是其今年建立的第二個 HBM 專門團隊。三星近期在 HBM 內(nèi)存上進行了大規(guī)模的人才投入，旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內(nèi)存市場領(lǐng)軍地位：2019 年，三星因?qū)ξ磥硎袌龅腻e誤預(yù)測
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