由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產品之間的區(qū)別。在本文中，我
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NFS PCIe NAS DRAM 閃存
根據TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM產業(yè)的減產效應已正在逐步發(fā)酵當中，在跌無可跌的前提之下，短時間內現貨價格有機會帶動一波價格的上
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DRAM 現貨價 短期看漲
行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數據中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數據中心服務器，高功率密度的
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存儲器 子系統(tǒng)效率 DRAM
DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM，中文名為“雙倍數據率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎上改進而來，嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR。
說到這里，很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么區(qū)別的?小編還是來簡單普及下關于存儲的基礎知識吧。
ROM 和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱，是一種只能讀出事先
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DDR DRAM
受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。
供應持續(xù)吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài)
由于今年中國品牌智能手機表現超乎預期，服務器出貨也受惠于中國大陸數據中心需求增溫，下半年臺系服務器代工廠
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存儲器 DRAM
存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產業(yè)的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業(yè)的發(fā)展，存儲產業(yè)與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發(fā)，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
繼上周日系外資提高存儲器廠美光(Micron)自每股16元的目標價到每股20元之后，30日另一家美系外資的最新研究報告也指出，在當前DRAM市場價格逐步回穩(wěn)的情況下，加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉變，也將美光的目標價由原本的每股18美元，提高至每股20美元的價位。
該外資報告一開始便提及，看好2016年以來DRAM市場的回溫與產品價格的回穩(wěn)，而且實際上的表現還比當時預估的要好一些。不過，在當前許多供應商的產能不足的情況下，2017年DRAM的供應依舊是吃緊的。尤其，是在3D NAND閃存
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美光 DRAM
在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。
據Techspot網站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結晶態(tài)及高阻抗的非結晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動，雖然此技術在現今全球儲存技術領域中已展現
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存儲器 DRAM
8月27日消息，中國目前大力推動國內芯片產業(yè)發(fā)展，目標是在將來成為全球電腦芯片制造業(yè)的領軍者。這一宏偉計劃似乎遇到了難以逾越的障礙。
在2014年，中國就宣布將投資1000億美元以發(fā)展芯片設計和制造產業(yè)，以期在未來占據行業(yè)頭把交椅。大筆資金已經投入了新制造工廠的修建之中。但貝恩管理咨詢公司(Bain & Company )的最新分析顯示，中國僅僅依靠這1000億美元的投資是無法保證自己在芯片行業(yè)取得領先的。
中國國有芯片制造企業(yè)XMC(武漢新芯集成電路制造有限公司)正大舉興建用于加
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芯片 DRAM
Hot Chip 2016大會上，內存技術突然成了一大熱點，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代標準相繼浮出水面，明后兩年陸續(xù)就能見到。
這份發(fā)展規(guī)劃主要來自存儲大廠三星，美光也提出了一些想法，而新規(guī)范自然主要以提高速度、擴大容量、降低功耗為主。
DDR5內存的設想是單條容量最小8GB、最大32GB，帶寬最高6.4Gbps，兩倍于DDR4，而電壓和當前的DDR4一樣維持在1.1V，這在歷史上倒是第一次。
美光計劃2019年量產DDR5，三星
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DDR5 LPDDR5
今天，鎂光正式公布了DDR5內存的詳細規(guī)格。作為DDR4內存的繼任者，DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內存帶寬將為DDR4內存的兩倍。
此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內存將從3200Mhz起步，主流內存頻率可達6400Mhz。
同時，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內存樣品，并將在2019年實現正式量產。
據業(yè)內人士估計
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鎂光 DDR5
韓聯社首爾8月17日電 據半導體市場調研機構DRAMeXchange消息，三星電子2016年第二季移動動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的銷售額同比增長19.4%至24.18億美元，全球市場占有率升至61.5%，創(chuàng)下移動DRAM市場份額單獨統(tǒng)計以來的歷史最高紀錄。
三星2015年后三季度的移動DRAM市場份額均未突破60%關口，分別為57.6%、56.9%、58.2%。繼今年第一季突破60%后，第二季又提升1.1個百分點。三星移動DRAM的市場份額更是比DRAM市場份額(47.4%)高出14.1個百分點
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三星 DRAM
DRAMeXchange最新報告指出，中國地區(qū)的智慧型手機出貨依然強勁，DRAM三大廠同步調整產品類別，持續(xù)向行動式記憶體轉進，伴隨第3季強勁的旺季備貨需求到來，預估第3季全球DRAM總營收將出現較顯著的成長。
DRAMeXchange表示，因市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20奈米及SK海力士21奈米產出順利，帶動位元供給成長，使得第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%。
三星在第2季的DRAM產業(yè)營收仍排行第一，營收季
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三星 DRAM
TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，由于市況供過于求，第2季DRAM的平均銷售單價持續(xù)下滑，整體均價季跌幅超過5%，但受惠美光20納米及SK海力士21納米產出順利，帶動位元供給成長，第2季全球DRAM總營收約91億美元，季成長6.3%;三星、SK海力士、美光三大廠營收都成長，臺廠部分，以華邦電( 2344-TW )營收季增3.3%表現最佳。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第2季筆記型電腦及伺服器相關產品出貨動能表現一般，但中國地區(qū)的智慧型手
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DRAM
按IC Insight的最新IC市場觀察報告，2016年因供過于求，導致全球DRAM的平均售價(ASP)下降16%，導致全球IC銷售額下降2%。
由于PC，筆記本，及平板電腦，包括智能手機等的出貨量減少，今年全球DRAM銷售額下降19%。DRAM的ASP有很大的起伏，由2014年的3.16美元高點，到2012年時的1.69美元。
IC Insight認為，一組DRAM的ASP曲線，從2007年開始象飛機飛過山谷時一樣的起伏。預計在服務器及新智能手機等市場需求推動
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DRAM
ddr5 dram介紹
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