ddr5 dram 文章 進入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
SK海力士實現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
- 據(jù)韓媒報道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認證，連續(xù)多個以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達到要求，預(yù)計SK海力士將在2月初正式啟動1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進的DRAM主力產(chǎn)品群，進一步鞏固其在內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商
- 三星Galaxy S25系列可能會選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標志著三星在旗艦智能手機中首次沒有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對三星內(nèi)存技術(shù)的競爭力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門競爭的微妙行情。2024年9月就有報道指出因良率問題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門未能按時足量向三星MX（移動體驗）部門交付Galaxy S25系列手機開發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門的手
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買方采購策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價走跌
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進入淡季循環(huán)，DRAM市場因智能手機等消費性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國可能拉高進口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進而造成DRAM均價下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴大至8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預(yù)計下跌0%至5%。PC DRAM價格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢表示，2024年第四季PC OEM在終端銷售疲弱，DRAM價格反
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美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導(dǎo)體。該機構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產(chǎn)生負面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設(shè)計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應(yīng)商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
- DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計年底推出
- 近日，北京君正在接受機構(gòu)調(diào)研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預(yù)計21nm的今年年底會推出，20nm預(yù)計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領(lǐng)域。存儲產(chǎn)品價格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀錄
- 10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲解決方案的各個領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
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消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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