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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計算/服務(wù)器市場的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務(wù)器等市場領(lǐng)域。然而當(dāng)前
- 關(guān)鍵字： VLT DRAM
TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應(yīng)求
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TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應(yīng)求
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南亞科未來兩年投資500億元 提升價值凌駕市占率
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示，南亞科計劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價值，而非拉升全球市占率，未來新存儲器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 再者，南亞科召開重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計花430億~450億元進行相關(guān)設(shè)備擴
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DRAM價格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運營同步走高
- DRAM現(xiàn)貨價漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元，攀上七個多月來高點，本季來大漲逾24%，第4季報價持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。 業(yè)界透露，在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下，DRAM漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價買盤進場，漲勢加大。 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計本周以來二個交易日
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三星主導(dǎo)調(diào)漲報價策略 DRAM廠商有望重掌號令
- 三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報價策略奏效，全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚，主流DDR4 4Gb DRAM有機會向2美元叩關(guān)，也是近2個月來漲勢最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號令。 存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價格漲勢態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報價，第4季合約價也再漲一成，連同第3季合約價調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。 2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價策略奏效
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日報道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。 據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日報道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。 據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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