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            DDR5內存標準確定，中國企業(yè)的標準沒能入選
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 都說一流的企業(yè)定標準，可見能夠參與制定標準的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當一項國際標準出爐時，各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標準定為國標標準。比如大家最熟悉的通信標準制定，從1G到5G標準的確定，那可是一項波瀾壯闊的通信技術競爭史，也是中國通信技術的崛起史。而不久前，跳票了近2年時間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標準，這也是一項國際標準，有利于內存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內存。但與DDR4標準有中國企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時代，發(fā)明的DDR
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            • 關鍵字：
                        DDR5  內存標準                          
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            KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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            • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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            PC 新時代！DDR5 內存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達 6.4Gbps，單芯片密度達 64Gbit
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 作為計算機內存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布了下一個主流內存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內存的功能，將峰值內存速度提高了一倍，同時也大大增加了內存容量?；谛聵藴实挠布A計將于2021年推出，先從服務器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關注點再次放在提高內存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內存速度將達到6.4Gbps
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            • 關鍵字：
                        PC  DDR5  內存                          
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            DDR5 內存標準來了：頻率、帶寬提升，功耗降低
            
                                                            
              
                    	
            • 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內存的手機陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC
 固態(tài)技術協(xié)會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 
最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時各大內存廠商也表示基于新規(guī)范的內存產品最快年內就能進行量產，不過一開始會用在服務器上，后來才是家用
 PC 以及其他設備。本次的新標準主要提升了內存密度和頻率，其中
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            • 關鍵字：
                        DDR5  內存                          
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            SK海力士開始量產超高速DRAM‘HBM2E’
            
                                                            
              
                    	
            • 7月2日，SK海力士宣布開始量產超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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            • 關鍵字：
                        SK海力士  DRAM                          
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            SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’
            
                                                            
              
                    	
            • SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。            圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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            • 關鍵字：
                        SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E                          
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            國產DRAM內存抱團發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內存雙雙量產，其中內存國產化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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            • 關鍵字：
                        國產  DRAM  內存  合肥長鑫                          
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            南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產品試產
            
                                                            
              
                    	
            • 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰(zhàn)導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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            • 關鍵字：
                        存儲器  10nm  南亞科  DRAM                          
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            Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 因為種種原因,Intel的產品規(guī)劃這兩年調整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構,并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
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            • 關鍵字：
                        英特爾  CPU處理器  服務器  DDR5  至強  PCIe 5.0  Sapphire Rapids                          
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            三星一季度全球DRAM市場份額超過40% 但銷售額有下滑
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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            • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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            SK海力士公布DDR5內存規(guī)范：頻率高達8400MHz、今年量產
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進,兩個關鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進一步緩解
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                        內存  SK海力士  DDR5                          
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            SK海力士公布DDR5內存規(guī)范：頻率高達8400MHz、今年量產
            
                                                            
                                        
              
                    	
            •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內存標準的最終細節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產品細節(jié)公之于眾。　　簡單來說，DDR5內存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達8400MHz（時序瑟瑟發(fā)抖……）?！　『诵娜萘棵芏确矫?，SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內存最大可到128GB?！　∑渌鼌?shù)也均有明顯改進，兩個關鍵電壓VDD/VDDq和
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            • 關鍵字：
                        SK海力士  DDR5  內存                          
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            漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 從20nm技術節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質泄漏；(d) DRAM電容處的電介質泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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            • 關鍵字：
                        DRAM   GIDL                          
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            Intel、AMD推遲支持：DDR5內存明年殺到
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產DDR5內存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術減少了光刻中多次曝光的重復步驟,并提高了光刻的準確度,從而提高性能、提高產量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產DDR5內存,其12英寸D1a晶圓的生產效率會比舊有的D1x工藝的生產力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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            • 關鍵字：
                        英特爾  內存  GDDR5  DDR5                          
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            三星首次將EUV技術應用于DRAM生產
            
                                                            
              
                    	
            • 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術應用于DRAM的生產中。
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            • 關鍵字：
                        三星  EUV  DRAM                          
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