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ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙
- 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出，爭(zhēng)取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營(yíng)收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開(kāi)發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn)，為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長(zhǎng)動(dòng)能，同時(shí)滿足5G基地臺(tái)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動(dòng)車(chē)及車(chē)用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢(shì)強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來(lái)利基型DRAM價(jià)格回升，SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩(wěn)，季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
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三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM
- 2022年5月10日 ，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開(kāi)發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開(kāi)發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開(kāi)源軟件工具包的升級(jí)版本，以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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史上第一次5位數(shù)！DDR5內(nèi)存頻率突破10000MHz
- DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無(wú)限的。此前華碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現(xiàn)在終于突破了10000MHz！ 這也是內(nèi)存頻率第一次達(dá)到五位數(shù)字，進(jìn)入了10GHz+時(shí)代。 達(dá)成這一成就的是Kovan Yang領(lǐng)銜的微星超頻團(tuán)隊(duì)成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運(yùn)行在了5001.8MHz的基礎(chǔ)頻率，等效于DDR5-10004?！ 榱巳绱酥叩念l率，內(nèi)存時(shí)序也放寬到了史無(wú)前例的72-126
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新一代國(guó)產(chǎn)X86處理器將采用7nm工藝 支持DDR5
- 自從國(guó)外對(duì)我們實(shí)行卡脖子的政策后，在芯片這件事上加速進(jìn)階就成為了國(guó)家級(jí)戰(zhàn)略，而上海兆芯推出的KX-6000是一款國(guó)產(chǎn)x86處理器，采用16nm工藝，最高8核架構(gòu)，代號(hào)為“陸家嘴 (Lujiazui)”，日前知名的編譯器GCC也添加了對(duì)KX-6000的支持。 KX-6000系列處理器在2019年6月份發(fā)布，由上代的KX-5000系列的28nm升級(jí)到16nm工藝，有4核及8核兩種規(guī)格，頻率可達(dá)3.0GHz，還支持PCIe 3.0、雙通道DDR4內(nèi)存，搭配的芯片
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DDR5內(nèi)存五大升級(jí)都有啥？最后一個(gè)你絕對(duì)想不到
- 12代酷睿誕生以來(lái)，除開(kāi)CPU本身，最受關(guān)注的莫過(guò)于在先進(jìn)協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲(chǔ)器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議，打破了多年來(lái)內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗(yàn)的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。關(guān)于前者，鑒于尚未出現(xiàn)消費(fèi)級(jí)PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品，在此略過(guò)。今天，重點(diǎn)聊聊被譽(yù)為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)
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第二季度DRAM跌幅估縮小
- 根據(jù)市調(diào)預(yù)估，第二季整體DRAM平均價(jià)格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買(mǎi)賣(mài)雙方庫(kù)存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機(jī)等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進(jìn)而削弱消費(fèi)者購(gòu)買(mǎi)力道，目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來(lái)源，故整體第二季DRAM仍有供過(guò)于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)影響，引發(fā)PC OEM對(duì)第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo)，然而整體供給位卻仍在增長(zhǎng)，故第二季PC DRAM價(jià)格跌幅達(dá)3～8％，且可能會(huì)進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
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DDR4再見(jiàn)：Intel 700系列芯片或僅支持DDR5內(nèi)存
- 據(jù)TechPowerUp的報(bào)告來(lái)看，Intel正在研發(fā)僅為13代Raptor Lake處理器提供支持的700系列芯片組主板，雖然DDR4+DDR5的內(nèi)存控制器仍是主流，但I(xiàn)ntel正在努力提升DDR5內(nèi)存的市場(chǎng)比例?！ 脑搱?bào)道來(lái)看，Intel正在研發(fā)的700系列芯片組主板將僅支持DDR5內(nèi)存，而DDR4內(nèi)存則主要保留在600系芯片組平臺(tái)?！ 〔贿^(guò)需要注意的是，廠商往往并不會(huì)完全聽(tīng)從Intel指揮，只要市場(chǎng)需要700系主板支持DDR5內(nèi)存的呼聲夠大，總會(huì)有廠商忍不住?！ 〈送猓?3代Raptor La
- 關(guān)鍵字： ddr4 DDR5 內(nèi)存
三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動(dòng)平臺(tái)上驗(yàn)證使用
- 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗(yàn)證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)。自去年11月開(kāi)發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來(lái)，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動(dòng)平臺(tái)。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機(jī)上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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美光攜手聯(lián)發(fā)科率先完成 LPDDR5X驗(yàn)證
- 11月23日消息，美光科技（Micron）近日宣布，聯(lián)發(fā)科（MediaTek）已在其全新的5G旗艦智能手機(jī)芯片天璣9000平臺(tái)上完成了對(duì)美光LPDDR5X DRAM內(nèi)存的驗(yàn)證。美光由此成為首家送樣并驗(yàn)證該款業(yè)界最快、最先進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存的半導(dǎo)體廠商，并已出貨首批基于1α節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X樣片。美光同時(shí)也是業(yè)界首家應(yīng)用1α制造節(jié)點(diǎn)的廠商。美光LPDDR5X專為高端與旗艦智能手機(jī)設(shè)計(jì)，讓智能手機(jī)生態(tài)系統(tǒng)能夠在人工智能(AI)與5G創(chuàng)新背景下，推動(dòng)數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的新一波發(fā)展浪潮。Micron LPDDR5X
- 關(guān)鍵字： 美光 聯(lián)發(fā)科 DDR5
微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
- 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入
- 三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價(jià)將轉(zhuǎn)跌0~5%
- 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價(jià)格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫(kù)存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價(jià)調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢(shì)。賣(mài)方積極調(diào)節(jié)手上庫(kù)存，持續(xù)降價(jià)求售。合約市場(chǎng)方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長(zhǎng)短料問(wèn)題而大量備料，使DRAM庫(kù)存已達(dá)高水位，庫(kù)存迭高問(wèn)題成為漲價(jià)的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價(jià)于第四
- 關(guān)鍵字： TrendForce PC DRAM
SK海力士即將量產(chǎn)DDR5內(nèi)存 搭配Intel 12代酷睿
- 今年下半年，最快10月底就能升級(jí)DDR5內(nèi)存了，這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會(huì)首發(fā)支持DDR5。SK海力士日前在財(cái)報(bào)會(huì)議上也表示未來(lái)幾個(gè)月就要量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。 DDR5的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)發(fā)布一年多了，相比DDR4繼續(xù)提升性能、降低功耗，標(biāo)準(zhǔn)電壓從1.2V進(jìn)一步降至1.1V，最大單條容量從32GB來(lái)到128GB(單Die密度64Gb)，標(biāo)準(zhǔn)最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實(shí)際瞄準(zhǔn)8400MHz)，此時(shí)帶寬達(dá)到51GB/s，基本是DDR4-3200的兩倍?！ ×硗猓珼DR5支
- 關(guān)鍵字： 英特爾 酷睿 DDR5 SK海力士
三星將在不久后開(kāi)始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條
- 三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計(jì)該部門(mén)將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是針對(duì)高端服務(wù)器和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動(dòng)其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個(gè)512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個(gè)真正的高容量解決方案?！ 〉聦?shí)證明，這家韓國(guó)巨頭可能還不滿足，因?yàn)樗?jì)劃在不久的將來(lái)的某個(gè)時(shí)候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財(cái)報(bào)電
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存 DRAM DDR5
EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程
- SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
- 關(guān)鍵字： EUV DRAM
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