閃存文章進(jìn)入閃存技術(shù)社區(qū)

麻省理工證實(shí)：大數(shù)據(jù)時(shí)代，閃存和RAM一樣快!

用在對(duì)的地方，才是好東西。
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不只手機(jī)平板閃存無(wú)處不在

看新聞的時(shí)候您正在使用閃存，玩游戲的時(shí)候您正在使用閃存，打電話的時(shí)候您正在用閃存，拍照的時(shí)候你也正在用閃存。我們生活中完全離不開(kāi)閃存，但是你注意過(guò)生活中這些小而重要的東西嗎？
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東芝攜強(qiáng)大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展

　　　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強(qiáng)勢(shì)產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會(huì)同期舉辦新聞發(fā)布會(huì)，推出促進(jìn)人類智慧生活的四大應(yīng)用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會(huì) 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會(huì)。
關(guān)鍵字：東芝慕尼黑上海電子展閃存 MLC MMC SLC BENAND

高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。　　東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國(guó)的閃存生意非常好，在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
關(guān)鍵字：東芝 NAND 閃存 3D 201501

東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢(shì)

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。　　東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國(guó)的閃存生意非常好。東芝在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
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無(wú)NAND之地：閃存無(wú)法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測(cè)顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來(lái)巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫(xiě)滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心閃存

閃存存儲(chǔ)技術(shù)迅速走向成熟

　　閃存技術(shù)在中國(guó)這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進(jìn)的發(fā)展，正在迅速走向成熟，之前阻礙閃存普及的價(jià)格門檻，正在逐步降低，未來(lái)閃存的可靠性會(huì)和價(jià)格一齊下降，但我們能夠通過(guò)系統(tǒng)軟件來(lái)更好地實(shí)現(xiàn)閃存的利用價(jià)值。　　Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾　　2013年的中國(guó)閃存市場(chǎng)　　Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說(shuō)明2013年對(duì)于閃存來(lái)說(shuō)絕對(duì)是一個(gè)不平凡的一年，首先閃存顆粒，Gartner的研究表明，每GB的價(jià)格成本下降41%，這是一個(gè)非常大的下降的
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數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)時(shí)代閃存能否成棟梁

　　隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展，全球數(shù)據(jù)量每?jī)赡攴兜乃俣仍鲩L(zhǎng)，人們選用的存儲(chǔ)介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化，到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到44ZB。如此高速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)，采取什么樣的存儲(chǔ)更為愉快?閃存能否成為未來(lái)存儲(chǔ)的棟梁? 俗話說(shuō)：以史為鑒，可以知興替。回顧過(guò)往，存儲(chǔ)行業(yè)從很久以前的磁帶存儲(chǔ)方式過(guò)渡到磁盤存儲(chǔ)方式，磁帶存儲(chǔ)沒(méi)有消亡，但磁盤占了主流。當(dāng)前從磁盤存儲(chǔ)方式逐漸過(guò)渡到閃存方式，未來(lái)磁盤存儲(chǔ)不會(huì)消亡，但閃存勢(shì)必會(huì)占據(jù)
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PMC FlashTec NVRAM：抓住閃存細(xì)分市場(chǎng)需求

當(dāng)前，基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點(diǎn)，市場(chǎng)上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認(rèn)閃存對(duì)于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯，無(wú)論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗(yàn)證，尤其是隨著閃存成本價(jià)格穩(wěn)步下降，閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢(shì)必然加快。同時(shí)，隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動(dòng)化四大趨勢(shì)的來(lái)臨，超大型數(shù)據(jù)中心用戶對(duì)于加速的需求更進(jìn)一步，傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求，超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
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干掉閃存下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。　　MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片和一個(gè)NOR&n
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閃存供應(yīng)商SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比降5%

　　10月17日，美國(guó)閃存供應(yīng)商SanDisk今天發(fā)布了2014財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，由于重組和收購(gòu)導(dǎo)致成本增長(zhǎng)9%，SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比下滑5%。由于業(yè)績(jī)未達(dá)分析師預(yù)期，SanDisk股價(jià)在盤后交易中下跌3%。　　在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤(rùn)為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤(rùn)為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計(jì)入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時(shí)，第三季度SanDisk營(yíng)收為17.5億
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。　　MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲(chǔ)技術(shù)的原型。
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市場(chǎng)報(bào)告：蘋果將在2015年購(gòu)買全球25%閃存

　　根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司Trendforce的最新報(bào)告，蘋果將在2015年購(gòu)買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋果通常會(huì)配備1GB運(yùn)行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運(yùn)行速度更快，不過(guò)增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]