在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>

<menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

<label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>

<center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

<span id="kdosf"><var id="kdosf"></var></span>

<menu id="kdosf"><dl id="kdosf"><noscript id="kdosf"></noscript></dl></menu>

UWB - 智能物聯(lián)的未來之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測距和雷達功能以實現(xiàn)高級IoT應(yīng)用來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出一款智能高側(cè)開關(guān)系列

在現(xiàn)今的汽車應(yīng)用中，設(shè)計人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負(fù)載，這類應(yīng)用包括：白熾燈、電機控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實現(xiàn)這一目的，設(shè)計人員不得不依賴分立式或機電式解決方案，或是受制于市場上數(shù)量有限的解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET F085A

羅姆清華探索校企合作新模式

??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產(chǎn)學(xué)連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開，來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領(lǐng)域取得的成果以及一些教學(xué)科研經(jīng)驗。會后，羅姆株式會社常務(wù)董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪，我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學(xué)研方面的相關(guān)合作。以“羅姆”命名清華樓，并無排他性 ?????
關(guān)鍵字：羅姆 SiC

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術(shù)人員，以論
關(guān)鍵字： SiC 講座功率元件氧化鎵

Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 轉(zhuǎn)換器

智能MOSFET驅(qū)動器提升電源性能的設(shè)計方案

在電源系統(tǒng)中，MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號，以便以最快的速度打開和...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器電源性能

車用MOSFET：尋求性能與保護的最佳組合

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
關(guān)鍵字： MOSFET 車用保護性能

IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

適合各種電源應(yīng)用的碳化硅肖特基二極管

功率因數(shù)校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關(guān)的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標(biāo)準(zhǔn)。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設(shè)備的諧波標(biāo)準(zhǔn)
關(guān)鍵字：電源應(yīng)用碳化硅肖特基二極管

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（二）

基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
關(guān)鍵字：氧化鎵 SiC 功率元件 MOSFET LED

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

電源設(shè)計小貼士 43：分立器件――一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中，我們來了解一下自驅(qū)動同整流器并探討何時需要分
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動器卓越解決方案集成替代設(shè)計分立器件

一款可替代集成 MOSFET 驅(qū)動器的卓越解決方案

在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23晶體管...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計分立器件 MOSFET

飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車無鉛封裝技術(shù)達成協(xié)議

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進汽車MOSFET封裝技術(shù)達成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
關(guān)鍵字：飛兆英飛凌 MOSFET

英飛凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA

英飛凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壯大其車用功率半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容。這是業(yè)界首個配備集成式快速體二極管的超結(jié)MOSFET解決方案，可滿足最高汽車質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其適用于混合動力汽車和純電動汽車的電池充電、直流/直流轉(zhuǎn)換器和HID(高強度放電)照明等諧振拓?fù)洹?/li>
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種
關(guān)鍵字： MOSFET 選擇控制器開關(guān) 系統(tǒng) 電源

共1822條 90/122 |‹ « 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 » ›|

碳化硅(sic)mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

碳化硅(sic)mosfet電路

12W場效應(yīng)管音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
圖騰柱無橋PFC電路的工作原理及仿真分析
一文詳解同步與非同步Buck電源

碳化硅(sic)mosfet相關(guān)帖子

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用
降低MOSFET損耗同時提升EMI性能
淺析MOSFET的UIS及雪崩能量
從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS
MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹
MOSFET廠商匯總
深入理解MOSFET規(guī)格書datasheet
WAYON維安工程師筆記MOSFET驅(qū)動振蕩那些事

碳化硅(sic)mosfet資料下載

MOSFET管的驅(qū)動電路設(shè)計資料總結(jié)
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊及單管在充電樁電源模塊中的應(yīng)用
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應(yīng)用介紹
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品綜述
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務(wù)器的應(yīng)用指南
TOSHIBA東芝TPH1500CNH產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
TOSHIBA東芝TPN11003NL產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
Toshiba東芝TPH3R704PC MOSFET產(chǎn)品規(guī)格書

碳化硅(sic)mosfet專欄文章

熱門主題

樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>

<menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

<label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>

<center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

<sup id="b1o1x"><button id="b1o1x"></button></sup>

<span id="b1o1x"><var id="b1o1x"></var></span>